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图1. 具有Schottky势垒的带弯,p-型(上图)和n-型 (下图)半导体与金属形成的势垒接触。 (n-Si/TiO2)/B’ (n-Si/TiO2)/B’ e- e- 光致电荷转移过程 (a) (b) the surface potential image of n-Si/TiO2/B under illumination, (a) two dimension and (b) three dimension (n-Si/TiO2)/(B) e h? 表面光电微区扫描 近场扫描 对于稳态表面光伏的影响因素 1.样品吸收特性(消光系数、跃迁属性等) 2.样品内阻 3.样品粒径 4.调制频率 5.环境因素 6.外场 7.电极 8.相位 ? 样品内阻对表 面光伏的影响 ? 样品粒径对表 面光伏的影响 ?相位影响 在材料科学上的应用 ? 半导体材料导电类型的确定 ? 少数载流子扩散距离的测定 ? 表面态参数的测定 ? 表面光伏气敏特性研究 ? 谱带认证 ? 半导体材料的禁带宽度的测定 ? 半导体材料导电类型的确定 1、光伏响应方向 或相位角 三种方式来确定 The SPS and FISPS of azo pigments A and C C A 利用场效应光伏响应 Xie Tengfeng, Wang Dejun. Phys. Chem. B 2000, 104, 8177-8181 Eg = 1/l (nm) × 1240 = 1/390 × 1240 = 3.18 eV 半导体材料的禁带宽度的测定 l l 表面光伏测量应用实例: 1、太阳能电池研究 2、光电气敏特性研究 3、光催化研究 Zn掺杂TiO2微球的形貌分析 0% Zn SEM 0.25% Zn SEM 0.5% Zn SEM 1% Zn SEM 0.5% Zn FESEM 0.5% Zn 450℃ FESEM Zn/Ti摩尔比为0.5%时,TiO2微球尺寸接近均一。 热处理前后形貌基本一致。 Zn掺杂TiO2微球染料敏化太阳电池应用 1、太阳能电池研究的应用 Zn掺杂TiO2微球的表面光电压谱 不同Zn/Ti摩尔比的TiO2微球的表面光电压谱。 插图为表面光电压谱/场诱导表面光电压谱的装置示意图 应该做它的表面光电流!! (a) (b) 染料敏化前 染料敏化后 Zn掺杂TiO2微球的瞬态光伏 激发波长 355 nm 激发水平50mJ 激发波长 532 nm 激发水平50mJ 基于Zn掺杂TiO2微球薄膜电极 的染料敏化太阳电池的性能测试 52.96 2.60 0.49 7.14 0.75 1.0% Zn-TiO2 48.69 4.63 0.44 14.58 0.73 0.5% Zn-TiO2 30.82 3.32 0.42 12.41 0.64 0.25% Zn-TiO2 19.32 0.58 0.46 2.00 0.63 TiO2 SBET (m2/g) ?(%) FF Jsc (mA/cm2) Voc (V) Sample 不同Zn掺杂量的DSSCs的I-V特性曲线 Voc随Zn含量的增加而增加。 Jsc和?在Zn/Ti为0.5%时最大。 各电池的填充因子较低。 尺寸、形貌对电池的影响。 Yu Zhang, Dejun Wang, Tengfeng Xie, Electrochimica Acta, in press, ZnO纳米阵列/CdS异质结构敏化太阳电池性能研究 ZnO/CdS异质结构 紫外可见漫反射吸收光谱 可见吸收随CdS的增多而红移, 强度逐渐增大 ZnO/CdS异质结构薄膜的的表面光电压谱 光伏响应的阈值和强度随CdS量的不同发生了有规律的变化 Yu Zhang,Tengfeng Xie, Dejun Wang et al. Nanotechnology, 2009, 20, 155707 532 nm 激发 激发水平50 mJ/pulse 电池性能随CdS负载量的增加而提升,填充因子有所下降。 量子点敏化太阳电池的I-V特性曲线 光电转换效率很低! ? 纳米ZnO的表面光伏特性研究 纳米ZnO性质研究 ?ZnO的发光性质的研究(热点研究领域) ?光生电荷的研究 纳米ZnO性质研究 ?ZnO的发光性质的研究(热点研究领域) ?光生电荷的研究 光生电荷 产生
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