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第七章 半导体存储器 7. 1 概述 7. 2 只读存储器( ROM ) 7. 2 只读存储器( ROM ) 快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7. 3 读写存储器( RAM ) 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) * 存储器是用来存储二值数字信息的大规模集成电路，是进一步完善数字系统功能的重要部件。 它实际上是将大量存储器按一定规律结合起来的整体， 可以被比喻为一个由许多房间组成的大旅馆。 每个房间有一个号码 ( 地址码 )， 每个房间内有一定内容( 一个二进制数码，又称一个“字” )。 (2). 读写存储器( RAM ) (1). 只读存储器( ROM ) 半导体存储器可分为两大类： 7. 2. 1 掩模只读存储器 ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出电路三部分组成。 Read Only Memory . . . 只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。 7. 2. 1掩模只读存储器 ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出电路三部分组成。 下图是一个最简单的二极管ROM电路： Read Only Memory . . . 只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 存储矩阵 输出电路 位线 字线 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 译 码 器 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 假设 ： A1A0 ＝ 11 1 0 0 0 1 1 0 0 二极管 或门 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 1 1 0 0 二极管 或门 1 当某一字线被选中时， 这个字线与位线间若接有二极管， 则该位线输出为 1 。 假设 ： A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 0 1 0 1 A1A0 ＝ 10 假设 ： A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 0 1 0 1 A1A0 ＝ 01 假设 ： A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 0 0 1 1 A1A0 ＝ 00 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 字线 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 位线 输入任意一个地址码，译码器就可使与之对应的某条字线为高电平，进而可以从位线上读出四位输出数字量。 +VCC W3 W0 W1 W2 D0 D1 D2 D3 用 构成MOS 管的ROM 矩阵： 有 MOS 管的单元存储 “0”， 无 MOS 管的单元存储 “1”。 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 在前面介绍的两种存储器中，其存储单元中的内容在出厂