BF556A,215;BF556A,235;BF556B,215;BF556C,215;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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2017-06-10 发布于河南
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BF556A,215;BF556A,235;BF556B,215;BF556C,215;中文规格书,Datasheet资料

3 BF556A; BF556B; BF556C 2 T O S N-channel silicon junction field-effect transistors Rev. 4 — 15 September 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken during transport and handling. 1.2 Features and benefits  Low leakage level (typ. 500 fA)  High gain  Low cut-off voltage. 1.3 Applications  Impedance converters in e.g. electret microphones and infrared detectors  VHF amplifiers in oscillators and mixers. 1.4 Quick reference data Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VDS drain-source - - 30 V voltage (DC) VGSoff gate-source cut-off ID = 200 A; 0.5 - 7.5 V voltage VDS = 15 V IDSS drain current VGS = 0 V; VDS = 15 V BF556A 3 -