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　第37卷第5期 原 子 能 科 学 技 术 Vol. 37 , No. 5 　2003年9月 Atomic Energy Science and Technology Sep. 2003 考虑溅射和碰撞损失的 j ×B 离子引出收集 朱红莲 ,王德武 (清华大学 工程物理系 ,北京　100084) 摘要 :研究了 j ×B 法离子引出收集过程。影响引出过程收集率的两个主要因素是碰撞和溅射。对引 出过程中收集板的收集情况进行了数值模拟 ,给出了收集板电参数对引出时间、碰撞与溅射的影响。收 集板电参数对引出时间和收集率有很大影响 , 电流j s 及其变化率的增加对离子引出是有利的。总收集 率随等离子体密度增大而减小。收集板间距对引出的影响较为复杂 ,增大极板间距 ,且限制准直孔径 , 引出效果得以改善。 关键词 :离子收集 ; j ×B 驱动法 ;碰撞 ;溅射 ;收集率 ( ) 中图分类号:O5625 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 2003 Ion Collection Simulation by j ×B Scheme With Collision and Sputtering ZHU Honglian , WANG Dewu ( ) Department of Engineering Physics , Tsinghua University , Beijing 100084, China Abstract : The paper focuses on the ion collection simulation by j ×B scheme with collision and sputtering. The effects of the collector electricity parameters on the collection time , collision and sputtering characteristics are studied. The collecting rate is increased with increasing of the current j s and dj s/ d t , descended with increasing of the plasma density. The influence of the space between collectors is complex , augmenting the space and the collimated empty , improving collecting rate. Key words : ion collection ; j ×B scheme ; collision ; sputtering ; collecting rate 　　激光等离子体离子引出最经典的方法是平 将目标原子激发电离后 ,在激光与原子作用区 行板电场法。由于存在屏蔽效应 ,用平行板电 形成一团有一定速度、由电子、离子和中性原子 场