【2017年整理】一半导体器件基础.docVIP

第一章 半导体器件基础 第一节 半导体基础知识 1、半导体概念 半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 2、本征半导体的结构 本征半导体 在热力学温度零度时，共价键的电子受到原子核的吸引，不能自由移动，此时半导体不导电。 随着温度的上升，共价键内电子因热激发而获得能量，其中能量较高的电子挣脱共价键的束缚，成为自由电子。同时，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱，其中空穴可看成带正电的载流子。 4、本征半导体中 （2）、载流子浓度的动态平衡： 在本征半导体中，由于本征激发不断产生电子、空穴对，使载流子浓度增加。同时，又由于正负电荷相吸引，自由电子和空穴复合。 在一定温度下，当没有其它能量存在时，电子、空穴对的产生和复合最终达到一种热平衡状态，使本征半导体中 二、杂质半导体 1、N型半导体(Negative) 在硅（或锗）的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，所以电子称为多数载流子(简称多子)， 空