cnbti北大上课教材.pptVIP

NBTI的机制 －空穴被吸引到SiO2 /Si界面 －弱化了Si－H键导致键断裂 －氢(H)扩散进入氧化层或者体Si中 如果H进入体Si会钝化硼离子 －留下界面陷阱(Dit) 界面陷阱电荷 类受主：负电荷(平带条件) 类施主：正电荷(反型条件) 阈值电压变化估算 －Nit和Nf ?1010 cm-2；0.1 x 1.0 ?m栅面积(A=10-9 cm2) = 存在10个界面陷阱和10个氧化层陷阱 = ?VT －对tox＝5nm ＝ ?VT ? -5mV ?VT = -50mV(器件失效) ＝ ? Nit=?Nf=1011 cm-2 －对模拟差分电路，一个MOSFET ?VT ? -10mV而另一个?VT ? -25mV，则二者差15mV占VT＝-0.3 V ＝ 5％的不匹配。而高性能模拟器件对要求0.1%到0.01%的不匹配冗余度 反应－扩散模型 －空穴和Si－H键作用 －空穴弱化Si－H键 －升温器件下Si－H键断裂 －初始阶段 Dit产生 取决于 Si－H键断裂速率 －以后 Dit产生 取决于 H扩散速率 反应－扩散模型 氢模型 －氢从Si衬底漂移进入SiO2/Si界面 －靠近或在 SiO2/Si界面处的H0俘获一个空穴 ＝ H+ －H＋断裂Si－H键 ＝ Dit和H2 －一些H＋漂移进入SiO2 ＝ Not 器