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超低介电常数介孔氧化硅薄膜的制备及其表征.pdf
第9期 无 机 化 学 学 报 Vol23N09
CHINESE INORGANICCHEMTsTRY
2007年9月 JOURNAl，OF Sep．，2007
超低介电常数介孑L氧化硅薄膜的制备及其表征
袁昊1李庆华+·1沙菲：解丽丽1田震t王利军t
(1上海第二工业大学环境工程系．上海201209)
f上海纳米材料捡测中G，上海2(X)237)
旋涂技术．在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜，再经过正硅酸乙酯frEOs)蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔
量了薄膜的介电常数晴1．纳米硬度计测量薄膜的弹性模量。介孔氧化硅薄膜在常温常湿条件下存放15d后，介电常数仍旧维持
在超低值范围内．k=1．80．弹性模量大于6GP．根好地满足了其在超大规模集成电路中应用的要求。
关键词：TEOS蒸汽；甲基化；介孔氧化硅薄膜超低介电常数
中围分类号：0649 文献标识码：A 文章编号：1001-4861(2007)09—1587-06
of ThinSilicaFilmswithUltraLowDielectricConstant
SynthesisMesoporous
YUANHa01LI Fei2XIELi-LilTIANZhenlWANGLi_JuIll
Qing—Hua+，‘SHA
(DeparUmmofEnvironmentalEngineering,sb0“SecondPolytechnwUniemity,slm曲五2012091
Center
$b啦缸TestingofNanometerMaterials，s^珈200237)
with orthosilicatewa$usedto the of
treatment
Abstract：Vaporphase tetraethyl OEOSl improveperformance
toformation
silicafilms onsilicon calcinationtreatmentled
methylatedmesoporous spin．coated wafers．Subsequent
of filmswith structuraland resultsshowthat
methyl．funetionalized．silicahigh stabilityhydrophobicity．XRD．FrrIR
the
thefihnshave structural and indicatetllatTEOStreatmentfavors
high stabilityhydrophobicity．SEMimages
ofthefilmsiS
formationofflat non．crackfilms．Dieleclrieconstant临)value
andintegrated
15
remaillSas10was1．
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