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铽镓石榴石单晶的生长、表征及其挥发机理研究.pdf
第44卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v。1．44N。．4
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铽镓石榴石单晶的生长、表征及其挥发机理研究
裴广庆1，张艳2，柳祝平2
(1．上海元亮光电科技有限公司研发中心，上海201801；2．元亮科技有限公司元亮研究院，元锡214000)
摘要：使用预先烧结好的多晶原料，在一定比例的N：和cO：混合气氛下，采用提拉法生长出了高质量的铽镓石榴
石(TGG)单晶。采用XRD、ICP和热力学计算进行分析，结果表明，晶体生长过程中的挥发机制为Tb，Gas0．：的分
mm×10．7
式存在卟富集或Ga缺失，为Tb，Ga4。。，O。。。非化学计量比相。将晶体毛坯加工成4,2．8mm的晶
dB。
棒，消光比测试结果表明镀增透膜后消光比平均可提高18．8
关键词：提拉法；TGG晶体；挥发机制；消光比
中图分类号：078 文献标识码：A
andVolatilizationMechanismofTerbium
Growth，Characterization
GalliumGarnet
SingleCrystal
PEI
G眦增一qin91，ZHANGYan2，ⅡU
Zhu-pin92
Photoelectric
(1．RDCenter，Shanghai
Unionlight TechnologyCo．，Ltd．，Shanghai201801，China；
2．UnionlightInstitute，UnionlightTechnologyCo．，Ltd．，Wuxi214000，China)
7November 7
(Received 2014，acceptedJanuary2015)
terbium were Czochralski
Abstract：Highquality galliumgarnet(TGG)singlecrystalsgrownby method，
materialsunderthe ofmixtureof and
usingsingle—phasepolyerystalline atmosphere N2 C02．X．ray
PlasmaEmission
diffraction，Inductive calculations
Coupled Spectrometer(ICP)and
thermodynamic
showthatthe
mechanismofvolatilization canbeattributedtothe of
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