场效应管的命名.pptVIP

跳转到第一页 2.2.4 场效应三极管的参数和型号 (1) 场效应三极管的参数 ① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。 * (2) 场效应三极管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其 一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场 效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟 道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 * 几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。 表02.02 场效应三极管的参数 * 半导体三极管图片 * 半导体三极管图片 * * * * * * * 跳转到第一页 * * * * * * 参 数 型号 PDM mW IDSS mA VRDS V VRGS V VP V gm mA/ V fM MHz 3DJ2D 100 0.35 20 20 -4 ≥2 300 3DJ7E 100 1.2 20 20 -4 ≥3 90 3DJ15H 100 6～11 20 20 -5.5 ≥8 3DO2E 100 0.35～1.2 12 25 1000 CS11C 100 0.3～1 -25 -4 ≥2