ch04-pn结和金属半导体结分解.pptVIP

金属－半导体结 在半导体表面淀积一层金属形成紧密的接触，称为金属－半导体结（接触）。 1、肖特基势垒（SBD） 如果VF随时间变化，Qp也应随时间变化。注意Qp独立于x,它是时间的隐性函数。 稳态时Qp每经过τp时间就会更新一次。 参数τ的意义:n区空穴的寿命；非平衡少子在n区的平均停留时间；对扩散电容进行充电产生电荷Qp所需的延迟时间； 真空能级：真空中自由电子所具有的最低能量或电子脱离指定材料所需的最小能量，在空间上是连续和单值的。 金属的导电电子基本上填满了导带下部的能级，费米能级的位置就在填满和空能级的分界面上。常用功函数的概念表示金属费米能级的位置，即以真空能级作为参考点。在半导体中常用导带低、价带顶或本征费米能级作为参考点。为了便于比较，在金－半结中，统一以真空能级为参考点。 半导体中电子的亲和能是给定的材料的常数。 画能带图要考虑的三个因素：平衡系统有统一的费米能级；真空能级连续，半导体的亲和能为常数。 金－半结中的势垒通常指的是金属一边的势垒高度。 这里只是说明金－半接触可以做成低电阻的欧姆接触。而实际中的欧姆接触除了要考虑接触电阻之外，还要考虑许多工艺问题，以选择适当的金属电极材料。 扩散电容： Which is larger, diffusion or depletion capacitance? 11、二极管的小信号模型 两类典型的金属－半导体结： 肖特基结（SBD)：半导体掺杂浓度较低，具有单向导电性能（与PN类似）。 欧姆接触：半导体掺杂浓度很高，无论加正向或反向电压，电流随电压的很快增大，理想时是线性关系，且电阻很小。 金属和N型半导体的能带图及相关能级 真空能级 功函数、亲和能的概念 N-半导体 金 属 肖特基结的势垒高度： 内建电势差： 耗尽区宽度： 平衡肖特基结的能带图（假设 ） A high density of energy states in the bandgap at the metal-semiconductor interface pins Ef to a narrow range and fBn is typically 0.4 to 0.9 V Fermi Level Pinning q f Bn E c E v E f E 0 q y M c Si = 4.05 eV Vacuum level, + - 有外加偏压时肖特基结的能带图 外加偏压基本上降落在半导体一侧的空间电荷区内，金属一侧的势垒高度与外加偏压无关。 2、热电子发射理论 3 Schottky 二极管 V = 0 Forward biased Reverse biased 肖特基结二极管与PN结二极管的比较 SBD瞬态特性好（原因：SBD是多子电流，没有电荷存储效应，而 PN结是少子电流） 对于同样的电流，SBD有较低的正向导通电压。 欧姆接触 电阻很低的金属－半导体接触称为欧姆接触。半导体高掺杂时，空间电荷区变窄，势垒变薄，电子借助隧道效应穿过势垒。 用接触电阻描述欧姆接触。 接触电阻定义为零偏压时电流密度对求导的倒数，我们希望接触电阻越小越好。 接触电阻是势垒高度和半导体掺杂浓度的两个因素决定。 在 pn结的基本结构：结的几何形状（结的深度、面积）、结附近杂质浓度分布 在平行于器件表面的横向方向的边界上会存在一些二维效应，但假设这些效应可以忽略不计。 杂质浓度（单位体积中杂质原子的数目）随位置（通常指垂直于芯片表面方向）变化的关系曲线称为杂质浓度分布。 实际的pn结（扩散结和注入结），其杂质浓度从p区到n区是逐渐变化的，称为缓变结。缓变结杂质分布的数学表示式是比较复杂的。在器件分析中，通常用突变结和线性缓变结这两种理想的杂质分布近似实际的杂质分布，以避免数学分析的复杂性。 外间偏压使电子和空穴不再有统一的费米能级。电子的准费米能级和空穴的准费米能级在势垒区与各自的中性区的费米能级相同； 扩散区内少子浓度变化较大，准费米能级表现为出现斜率；外加偏压使势垒区中电子和空穴的准费米能级分开，其大小为qV。 Shockley边界条件对正偏、零偏和、反偏均成立。可以看出正偏使边界载流子浓度增加，反偏使边界载流子浓度减小。 此方程称为少子的扩散方程 比较短二极管和长二极管的电流表达式，可以看出二者很相似，只是与各自的几何结构相关的特征长度不同（但电流的成分、与外加电压的关系是相同的）。长二极管的特征长度是少数载流子扩散长度，而短二极管的特征长度是准中性区的长度 电流实际取决与耗尽区边界处少子浓度的梯度。 * * 第4章 pn 结和金属-半导体结 结（junction）？ 结是构成半导体器件的基本结构单元，每一个半导体器件都包含一个或几个“结”，器件的特性与某个“结”的特性密切相关。 pn Junc