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技术和服务要求1 太阳能电池的技术要求 1.1太阳电池组件为室外安装发电设备，是光伏工程的核心设备，要求具有非常好的耐侯性，能在室外严酷的环境下长期稳定可靠地运行，同时具有高的转换效率；要求该组件必须为国内一类品牌产品A类一级板材且为2016年2月份以后生产。 1.2厂家投标时所携带的组件必须为国内一类品牌产品参数应满足以下要求：（尺寸结构除外，投标时可携带小样）： 序号 项 目 内 容 1 电池组件 多晶硅光伏电池组件 2 使用粘合胶体类型 中性密封硅胶 3 在AM1.5、1000W/m2的辐照度、25℃的电池温度下的峰值参数： 3.1 标准功率 不低于260W 3.2 最佳功率点电压Vmp(V) 30.2V（+-1） 3.3 最佳功率点电流Imp(A) 7.5A（+-1） 3.4 短路电流Isc(A) 8.4A（+-3） 3.5 开路电压Voc(V) 37V（+-3） 3.6 系统电压 最大系统电压1000VDC 4 电池片转换效率 ＞16% 5 峰值功率温度系数（%/K） (0.5±0.05) %/℃ 6 短路电流温度系数（%/K） (0.06±0.01)%/℃ 7 开路电压温度系数（mV/K） -(155±10)mV/℃ 8 工作温度范围 -40 to +85℃ 9 功率误差范围 +5% 10 电池片 多晶硅156mm*156mm 11 电池数量及排列方式 60 12 连接器 MC4 13 接线盒防护等级 IP65 14 接线盒连接线长度 正极900mm，负极900mm,4.0mm2 15 组件的填充因子 0.75 1.3光伏组件各部件在正常工况下应能安全、持续运行，不应有过度的应力、温升、腐蚀、老化等问题。 1.4在标准试验条件下（即：大气质量AM=1.5，辐照度1000W/m2，电池工作温度为25±2℃，标准太阳光谱辐照度分布符合GB/T 6495.3规定），光伏组件的实际输出功率必0～+3W偏差范围内。 1.5晶体硅组件须按照GB/T9535（或IEC61215）标准要求，通过国家批准认证机构的认证。 1.6光伏组件的光电转换效率＞15%（以组件边框面积计算转换效率）。 1.7光伏组件通过CE、TUV、UL、金太阳、CQC等相关国际认证，并符合国家强制性标准要求。 1.8组件使用寿命不低于20年。 1.9组件整体质保期不低于5年，功率衰减质保期不低于20年。 1.10组件衰减率2年内不高于2.5%，10年内不高于8%、25年内不高于20%。 1.11光伏组件防护等级不低于IP65。 1.12每块光伏组件应带有正负出线、正负极连接头和旁路二极管（防止组件热斑故障）。自带的串联所使用的电缆线应满足抗紫外线、抗老化、抗高温、防腐蚀和阻燃等性能要求，选用双绝缘防紫外线阻燃铜芯电缆，电缆性能符合GB/T18950-2003性能测试的要求；接线盒（引线盒）应密封防水、散热性好并连接牢固，引线极性标记准确、明显，采用满足IEC标准的电气连接；采用工业防水耐温快速接插件，接插件防锈、防腐蚀等性能要求，并应满足符合相关国家和行业规范规程，满足不少于20年室外使用的要求。 1.13光伏组件应严格按照下述标准、规范及规程进行各种实验测试。 IEC61215 晶体硅光伏组件设计鉴定和定型 IEC6173O.l 光伏组件的安全性构造要求 IEC6173O.2 光伏组件的安全性测试要求 GB/T18479-2001《地面用光伏（PV）发电系统 概述和导则》 SJ/T11127-1997《光伏（PV）发电系统过电压保护—导则》 GB/T 19939-2005《光伏系统并网技术要求》 EN 61701-1999 光伏组件盐雾腐蚀试验 EN 61829-1998 晶体硅光伏方阵　I-V特性现场测量 EN 61721-1999 光伏组件对意外碰撞的承受能力(抗撞击试验) EN 61345-1998 光伏组件紫外试验 GB 6495.1-1996 光伏器件 第1部分: 光伏电流－电压特性的测量 GB 6495.2-1996 光伏器件 第2部分: 标准太阳电池的要求 GB 6495.3-1996 光伏器件 第3部分: 地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据 GB 6495.4-1996 晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 GB 6495.5-1997 光伏器件 第5部分: 用开路电压法确定光伏(PV)器件的等效电池温度(ECT) GB 6495.7-2006 《光伏器件 第7部分：光伏器件测量过程中引起的光谱失配误差的计算》 GB 6495.8-2002 《光伏器件 第8部分: 光伏器件光谱响应的测量》测量 GB/T 18210-2000 晶体硅光伏（PV）方阵I