开关损耗吸收回路.ppt

开关损耗和吸收回路 开关电源技术——tqzheng@ 在硬开关电路的开关中，存在三种损耗： （1）开通时，由续流二极管的反向恢复电流引起的浪涌电流，会导致较大的导通损耗；（2）开通时，MOSFET的寄生结电容放电会引起损耗；　（3）关断时，MOSFET的结电容电压的快速增加，会导致较大的关断损耗。 无源无损缓冲电路的结构原理 　　图2给出了这种技术的典型电路，这是一个AC／DC阶段的电路原理图，输入交流电经整流滤波后，成为直流电压V1，再通过一个功率开关升压电路输出一个高电压VL。SWB是功率开关（大功率MOSFET管），它的导通与关断受控制电路控制。L1，C1，C2，D1，D2和D3构成了无损耗缓冲回路。假设C1＞＞C2，例如C1＝10C2。　　下面就该电路的工作状态进行分析。如图3所示，初始时刻通过二极管DB到负载的电流为IB，流过L1、D1、D2、D3、SWB以及C1的电流都为0。C2上的电压V2近似等于VL。在T0时刻开关SWB导通，其电流ISWB从0初值开始按公式（1）比例增长，而电压VS快速降为0。因此它的导通功率损耗很低，从而实现了零电流导通（ZCS）。 　　电流IDB线性下降，在T1时刻降为0后继续下降，直到在T2时刻等于二极管反向恢复电流达IR时DB关断。此时D2导通，电压V1，V2和V3开始下降，C2开始放电，放电电流等于IB－IL1，电压趋向于0，而L1上的电流增加。到T3时刻，V1减小为零。由于电容C1在T2～T3这一时期储存有能量，使得电压V2和V3仍然是正值。在T3～T4期间，L1上的电压变为负值，电流IL1开始减小，然而通过C1和C2的电流仍然等于IB－IL1。T4时刻，C2上的电压V2过0点，存储在C2中的能量已全部通过D2传输到C1。 　　这时D1导通，V2被钳位于零电位（忽略SWB前后电压和D1、D2电压压降）。在T4～T5期间，L1、C1出现了一个1／4周期的谐振，L1储存过剩能量。由于DB的反向恢复电流和C2的放电电流都传输到C1，??? 可以看出因为有C2的能量传输，即使IR＝0，VE（V1（T5））仍然有正值，确保L1在关断期间有一个复位。在T5时刻，IL1＝IB，电流停止通过D1、D2传输到C1，V1从－VE变为0，V3从0变为VE。　　T6时刻，SWB关断。电流经L1、D1流向C2，SWB上的电压从0初值依照公式（4）线性增加，而电流迅速降为0，因此它的关断功率损耗很低。这就实现了零电压关断（ZVS）。 　　在T7～T8时间段，D2和D3前向偏置，钳位开关电压为输出电压VL。L1、C1又出现一个1／4周期的谐振。L1上的电压最初是－VE，其电流从IB开始下降；C1释放电能，释放电流为IL1－IB。在T8时刻，D1和D2关断；而C1继续通过D3释放电流直至其电压为0。最终DB前向偏置，L1和C1复位，电路开始新一轮循环。??? 这个电路有几个显著的特点： ?? （1）SWB上的最大电压等于输出电压VL。　　（2）主要升压二极管DB上的最大反向电压是VL＋VE，VE与IR、L1、C1和C2的相对值有关。　　（3）SWB的最大上升电流速率由L1和VL确定，它的导通损耗很低（ZCS）。　　（4）SWB的最大上升电压速率由C2确定，关断功率损耗和电压很低（ZVS）。　　（5）L1、C2在开关周期储存能量，成功地控制电压、电流的上升速率。剩余能量被回送到输出，确保了充分的无损耗。　　这种电路曾经在大功率通信用开关电源中使用，效率提高的效果明显. * 开关损耗与吸收回路 (缓冲网络) 一、开关损耗(switch loss)的组成 对感性负载 对阻性负载 开关功耗 PS (switching loss) 通态功耗 PON 断态损耗 POFF 一般忽略 驱动损耗 PGATE 根据不同器件确定 吸收回路的损耗 根据具体的吸收回路及其参数而定 有电导调制效应的器件Ic上升Uon不见得上升 MOSFET 、IGBT等压控器件的驱动损耗要小于电流型驱动器件 Vgs UR t URP IRP UF tF t0 t1 t2 trr = t2 - t0 二、二极管的关断损耗 N - P IF UR,UF + D的损耗在高频下是重要的损耗 IGBT逆变器中二极管的关断过程 P N 三、吸收回路 1. RCD snubber 在关断时加吸收回路后抑制了器件两端电压的上升率，减小了关断损耗。 1. RCD snubber without With snubber 2. 电容C1的计算 关断时间 关断时承受的最大电压 3. 电阻R1的计算 电阻R1上的功耗 通态时间 3. RCD snubber 的等效接法 　　针对硬开关电路的上述损耗构成，一