缓冲电路的作用及基本类型.pdfVIP

1、 缓冲电路的作用与基本类型 电力电子器件的缓冲电路(snubber circuit)又称吸收电路，它是电力电子 器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件（如 GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等）的应用技术中起着重要的作用。 晶闸管开通时，为了防止过大的电流上升率而烧坏器件，往往在主电路中串 入一个扼流电感，以限制过大的di/dt，串联电感及其配件组成了开通缓冲电路， 或称串联缓冲电路。晶闸管关断时，电源|稳压器电压突加在管子上，为了抑制 瞬时过电压和过大的电压上升率，以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误 触发，需要在晶闸管的两端并联一个RC网络，构成关断缓冲电路，或称并联缓 冲电路。 GTR、GTO等全控型自关断器件在实际使用中都必须配用开通和关断缓冲电 路；但其作用与晶闸管的缓冲电路有所不同，电路结构也有差别。主要原因是全 控型器件的工作频率要比晶闸管高得多，因此开通与关断损耗是影响这种开关器 件正常运行的重要因素之一。例如，GTR在动态开关过程中易产生二次击穿的现 象，这种现象又与开关损耗直接相关。所以减少全控器件的开关损耗至关重要， 缓冲电路的主要作用正是如此，也就是说GTR和功率MOSFET用缓冲电路抑制 di/dt和du/dt，主要是为了改变器件的开关轨迹，使开关损耗减少，进而使器 件可靠地运行。 图1(a)是没有缓冲电路时GTR开关过程中集电极电压uCE和集电极电流iC 的波形，由图可见开通和关断过程中都存在uCE和iC同时达到最大值的时刻； 因此出现了瞬时的最大开关损耗功率Pon和Poff，从而危及器件的安全。所以， 应采用开通和关断缓冲电路，抑制开通时的di/dt，降低关断时的du/dt，使uCE 和iC的最大值不会同时出现。 图1(b)是GTR开关过程中的uCE和iC的轨迹，其中轨迹1和2 是没有缓冲 电路的情况，开通时uCE由UCC（电源电压）经矩形轨迹降到0，相应地iC由0 升到ICM；关断时iC由ICM经矩形轨迹降到0，相应地uCE由0升高到UCC。不 但集电极电压和电流的最大值同时出现，而且电压和电流都有超调现象，这种情 况下瞬时功耗很大，极易产生局部热点，导致GTR的二次击穿而损坏。加上缓冲 电路后，uCE和iC的开通与关断轨迹分别如3和4 所示，由图可见，其轨迹不 再是矩形，避免了两者同时出现最大值的情况，大大降低了开关损耗，并且最大 程度地利用于GTR的电气性能。 GTR的开通缓冲电路用来限制导通时的di/dt，以免发生元件的过热点，而 且它在GTR逆变器中还起着抑制贯穿短路电流的峰值及其di/dt的作用。GTO的 关断缓冲电路不仅为限制GTO关断时再加电压的du/dt及过电压，而且对降低 GTO的关断损耗，使GTO发挥应有的关断能力，充分发挥它的负荷能力起重要作 用。 IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于 IGBT的工作频率可以高达30~50kHz；因此很小的电路电感就可能引起颇大的 LdiC/dt，从而产生过电压，危及IGBT的安全。图2(a)和图2(b)是PWM逆变器 中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。由图2(a)可见，在iC下降过程中IGBT 上出现了过电压，其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。 图2(b)为开通时的uCE和iC波形，图中增长极快的iC出现了过电流尖峰 iCP，当iCP回落到稳定值时，过大的电流下降率同样会引起元件上的过电压而 须加以吸收（如图所示）。逆变器中IGBT开通时出现尖峰电流，其原因是由于 在刚导通的IGBT负载电流上叠加了桥臂中互补管上反并联的续流二极管的反向 恢复电流，所以在此二极管恢复阻断前，刚导通的IGBT上形成逆变桥臂的瞬时 贯穿短路，使iC出现尖峰，为此需要串入抑流电感，即串联缓冲电路，或放大 IGBT的容量。 综上所述，缓冲电路对于工作频率高的自关断器件，通过限压、限流、抑制 di/dt和du/dt，把开关损耗从器件内部转移到缓冲电路中去，然后再消耗到缓 冲电路的电阻上，或者由缓冲电路设法再反馈到电源中去。此缓冲电路可分为两 在类，前一种是能耗型缓冲电路，后一种是反馈型