半导体器件物理2分解.ppt

* 第一章 PN 结 §1.1 热平衡 PN 结 1.PN 结的形成和杂质分布 将同种半导体材料的 N 型和 P 型两部分紧密结合在一起，在二者的交界处形成一个结，称为 PN 结。 为使性能优越，通常在一块 N 型（或 P 型）半导体单晶上，采用合金法、扩散法、外延生长法和离子注入法等把 P 型（或 N 型）杂质掺入其中，使这块单晶的不同区域分别具有N 型和 P 型的带电类型，在两者的交界面处就形成了 PN 结。 ① 制备过程 （1）合金法及其杂质分布 下图表示用合金法制造 PN 结的过程。把一小颗粒铟（In，Ⅲ族元素）放在 N 型锗单晶片上，加热到一定的温度，形成铟锗共熔体，然后降低温度，在降温过程中，锗便从共熔体中析出，沿着锗片的晶向再结晶。在再结晶的锗区中，将含有大量的 P 型杂质铟，使该区变成 P 区，从而形成了 PN 结。 ② 杂质分布 杂质分布特点： P 区中受主杂质浓度为 ，而且均匀分布；N 区中施主杂质浓度为 ，也是均匀分布的。 在两种杂质的交界面处，杂质浓度由 （P 型）突变为 （N 型），具有这种杂质分布的 PN 结称为突变结。 合金法制备 PN 结的杂质分布 设 PN 结的位置在 ，则突变结的杂质分布可以表示为 时， 时， 实际的突变结，两边的杂质浓度相差很多（例如 N 区的施主杂质浓度为 ，而 P 区的受主杂质浓度为 ），通常称这种结为单边突变结。 若 ，则记为 结 若 ，则记为 结 （2）扩散法及其杂质分布 下图表示用扩散法制造 PN 结的过程。它是在 N 型（或 P 型）单晶 Si 片上，通过氧化、光刻、扩散（或离子注入）等工艺制得的 PN 结，其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。在这种 PN 结中，杂质浓度从 P 区到 N 区是逐渐变化的，通常称为缓变结。 ① 制备过程 ② 杂质分布 时， 时， 设 PN 结的位置在 ，则结中的杂质分布可表示为： 线性缓变结 缓变结 若杂质分布可用 处的切线近似表示，则称为线性缓变结。因此线性缓变结的杂质分布可表示为： 式中， 是 处切线的斜率，称为杂质浓度梯度。 低表面浓度的深扩散结一般可以认为是线性缓变结，而高表面浓度的浅扩散结， 处的斜率 很大，这时扩散结可用突变结来近似。 通常，采用不同的制作工艺，就会得到不同的杂质分布。用合金法、高表面浓度的浅扩散法、生长法可近似获得突变结情况；低表面浓度的深扩散结一般可以认为是线性缓变结。 为了简化理论分析，通常将 PN 结的杂质分布分近似为结突变和线性缓变结的情况进行讨论。 高表面浓度浅扩散结 2.空间电荷区的形成 当 P 型和 N 型半导体结合形成 PN 结时，由于它们之间存在着载流子浓度梯度，导致空穴从 P 区到 N 区、电子从 N 区到 P 区的扩散运动。对于 P 区，空穴离开后，留下了不可动的带负电荷的电离受主，这些电离受主，没有正电荷与之保持电中性。因此，在 PN 结附近 P 区一侧出现了一个负电荷区。同理，在 PN 结附近 N 区一侧出现了由电离施主构成的一个正电荷区。 通常把在 PN 结附近的这些电离施主和电离受主所带电荷称为空间电荷。它们所存在的区域称为空间电荷区。 空间电荷区中的这些电荷产生了从 N 区指向 P 区，即从正电荷指向负电荷的电场，称为自建电场。 在自建电场作用下，载流子作漂移运动。电子和空穴的漂移运动方向与它们各自的扩散运动方向相反，因此，自建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。在无外加电压的情况下，载流子的扩散和漂移最终就达到动态平衡，称这种情况为热平衡状态下的 PN 结，简称为平衡 PN 结。 在平衡 PN 结情况： 流过 PN 结的净电流为零；空间电荷的数量一定；空间电荷区的宽度一定；空间电荷区的自建电场一定。 2.PN 结能带图 PN 结中费米能级处处相等恰好标志了每一种载流子的扩散电流和漂移电流互相抵消，没有净电流通过 PN 结。 在空间电荷区内，电势 由 P 区向 N 区不断增加，因此电子的电势能 则由 P 区向 N 区不断降低，结果导致 P 区的能带相对 N 区上移，而 N 区能带相对 P 区下移，直至费米能带处处相等时，能带才停止相对移动，PN 结达到平衡状态。 在 PN 结的空间电荷区中因能带弯曲，电子从势能低的 N 区向势能高的 P 区运动时，必须克服这一势