模拟电路基础 晶体三极管.ppt

集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICVCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC VCE ICVCE=PCM ICM V(BR)CEO 安全工作区 极间反向电流 式中：ICEO 表示基极开路，集电极－发射极反向饱和电流； ICBO 表示发射极开路，集电极－基极反向饱和电流。 1-4-3 三极管的参数 一、温度对ICBO影响 对于硅管和锗管，可近似认为：每温升10oC， ICBO增大一倍 1-4-4 三极管的温度特性 二、温度对发射结正向偏压 的影响 正偏发射结，若保持正向电流 不变，则正偏电压应减小2-2.5mv 三、温度对 的影响 即每温升1oC，晶体管的 值增加自身的 1-4-4 三极管的温度特性 例 U1=3.5V，U2=2.8V U3 = 9V U1=2.5V, U2=8.3V, U3=9V 工作在放大区的几个晶体管三个电极的电位为U1,U2,U3，分别为下列各组数值，判断它们是PNP还是NPN型？是硅管还是锗管？并确定E、B、C各极。 * * 1-4 晶体三极管（Bipolar Junction Transistors,BJT） 简介： 1. 三极管的历史 2. 电路符号、结构剖面图、结构原理图 NPN E(emitter) C(collector) B(base) PNP B C E 小功率型 中功率型 大功率型 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N N+ 集电极C 基极B 发射极E P E C B 符号 1. NPN 型三极管 结构特点 ： 1.发射区重掺杂 2.基区做的很薄 3.集电区收集面积大 集电区 E B C 发射区 基区 平面型晶体管的结构示意图 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P+ N 2. PNP型三极管 E B C N区(重) N区（轻） P 区（中） 1-4-1 晶体三极管的工作原理 IE IC IB IEP 工作在放大区的晶体三极管：发射结正偏，集电结反偏 VBB VCC IEN ICBO IBN ICN + uo - RL ui 电流关系 ICBO is the Collector to Base current when the emitter are left Open. 1-4-1 晶体三极管的工作原理 共基极放大电路的电流分配关系 什么是共*极？即以*为输入输出的参考点。 发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。基极是两个回路的公共端，称这种接法为共基极接法。 Re Rc VEE VCC 共基极直流电流放大系数 1-4-1 晶体三极管的工作原理 Re Rc VEE VCC uo 晶体管的共射极接法 E B C VBB VCC RC RB IC IE IB VCC VBB 定义 为共射极直流电流放大系数 VCC VBB 各电极电流之间的关系 ICEO称为穿透电流 或 的关系 一般情况 与 E B C VBB VCC RC RB IC IE IB 当输入回路电压UBE变化 U BE =UBE+△UBE 那么 I B =IB+△IB I C =IC+△IC I E =IE+△IE 定义 为共基极交流电流放大系数 为共射极交流电流放大系数 T VBB VCC iB uBE _ uCE iC + RB RC ui + _ + _ iE 放大原理 uBE = ube + UBE iB = ib + IB iC = ic + IC uCE = uce + UCE uce = –icRC 其中 UCE = VCC –ICRC 1-4-2 晶体三极管的伏安特性曲线 IC mA ?A V V VCE VBE IB EC EB 测试共射BJT特性曲线的电路： 共射输入特性曲线族 1-4-2 晶体三极管的伏安特性曲线 输入特性: UCE ?1V IB(?A) VBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IB=0, IC=ICEO,称为截止区。 1. 截止区 集电结反偏发射结反偏 二、共射输出特性曲线 三极管输出特性上的三个工作区 IC / mA UCE /V 0 IB= 0 μA 20μA 40 μ