积分中值定理在放射性氙样品γ谱效率刻度技术中的应用-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 16 (2013) 162902 积分中值定理在放射性氙样品 谱效率 刻度技术中的应用 12 12† 1 12 田自宁 欧阳晓平 曾鸣 成智威 1) ( 清华大学工程物理系, 粒子技术与辐射成像教育部重点实验室, 北京 100084 ) 2) ( 西北核技术研究所, 辐射探测研究中心，西安 710024 ) ( 2012年12月19 日收到; 2013年3月30 日收到修改稿) 在实验室HPGe 探测器测量分析氙气样品过程中需要用到相对方法进行分析, 然而由于放射性氙同位素半衰期 较短, 制作相应的标准气体比较难, 给谱仪系统刻度带来困难. 针对该问题, 提出使用混合面源模拟刻度四种氙同位 素气体源的效率, 并提出将积分中值定理应用到面源刻度实验过程, 大大简化了中间流程, 提高了测量的准确性. 利 133 用氙分离纯化系统在高氡环境下采集样品, 获得了天然放射性 Xe 气体 谱, 通过计算得到其活度浓度. 积分中值 位置处的混合面源刻度结果和气体源刻度结果一致, 说明本文提出的面源刻度技术及积分中值定理的思想在HPGe 探测器效率刻度测量分析中是有效可行的. 关键词: 面源, 无源效率刻度软件, 效率刻度 PACS: 29.30.Kv, 29.40.Wk, 29.25.Rm DOI: 10.7498/aps.62.162902 HPGe 探测器, 其出色的能力分辨率决定了它对于 8 1 引言 弱 能峰具有非常高的灵敏度 , 可直接用于氙同 位素四种核素的测量. 放射性氙全能峰的效率刻度 全面禁止核试验条约主要使用放射性核素监 一般有四种方法: 1) 制作放射性氙同位素标准刻 测(radionuclide monitoring) 来履约和监测各种核试 度源进行效率刻度, 这种方法的优点是可以使其与 验. 在一次核爆中将会大量产生四种放射性氙同 样品形状相同, 缺点是由于氙同位素半衰期较短, 位素: 131mXe (t12 1184 d), 133Xe (t12 5243 d), 对源的活度要求非常高; 2) 使用认证过的发射多 133mXe (t12 219 d), 135Xe (t12 914 h). 这些核 种X- 射线混合源, 做成样品形状或点源, 使用这 素由于其半衰期较长, 在核爆几天内比较容易被探 些源刻度得到的效率曲线可以计算未知氙的探测 测到, 它们的特征 射线分别为 163.9, 81.0, 233.3, 133 12 效率; 3) 使用蒙特卡罗模拟来获得探测效率, 利用 249.8 keV, 其中重点关注的核素为 Xe 气体 . 133Xe 本底变化范围比较大, 从小于 1 mBq·m−3 到 MCNP4B 程序提供的F8 卡直接计算 能谱的效