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MOS晶体管的电路模型 最常用的MOS器件模型，称为Shichman-Hodgos模型。在这个模型中，考虑了漏极与衬底以及源极与衬底构成的反向偏置二极管，以及各极间、各电极与衬底之间的电容。 NMOS晶体管基本结构 NMOS晶体管的电路模型 2.3 MOS集成电路工艺技术 工艺步骤是：氧化层生长、热扩散、离子注入、淀积和刻蚀． 还有所谓的光刻工艺，光刻是用来定域半导体面积的一种手段，在此确定的面积上，将进行各种工艺加工步骤． 第一种基本工艺步骤--氧化 氧化是在硅片表面生成一层二氧化硅(SiO2)膜的过程．氧化既生长在硅片表面上，也向硅片里面延伸。一般氧化层约有54％的厚度是在初始表面以上生成，46％的厚度则是在初始表面以下生成。 氧化层厚度用tox。表示． 通常氧化层厚度，薄的可小于500?(栅氧化层)，厚的可大于10000?(场氧化层)。 氧化的温度范围为700-1100℃，氧化层厚度与其生长时的温度及生长时间成比例。 氧化层的作用有三：绝缘层的作用； 保护层的作用； 电介质层的作用。 第二种工艺步骤--扩散 半导体材料中的扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动，和气体在空气中扩散的情况相似。 扩散的目的是要在半导体材料表层的某特定区域上形成一个高浓度的杂质区。 根据扩散时