第3讲工艺和件级LP(多VDD,多阈值,门控).ppt

上　课 手机 关了吗？杭;讲义内容LP需求、必要性便携和;上一讲分析了功耗源目的是有的放;第3讲 工艺和器件级的LP技术;本讲内容工艺和器件级最低层级工;本讲内容降低动态功耗特征尺寸选;降低动态功耗—特征尺寸降低动态;特征尺寸选择先进工艺，可降低节;先进工艺有利于LP先进工艺特点;降低动态功耗—电源电压降低动态;降低电源电压工艺进步?电源电压;如何既LP又不影响电路性能？采;几种多VDD技术的LP试验结果;电源电压为5V、4V和3V时，;当代SOC设计中采用的多VDD;多VDD技术的实施条件 单元库;Level shifters ;Voltage Scaling;Unidirectional ;Level Shifters ;Level Shifters ;Level Shifters ;一种简单结构的Low-to-H;Level Shifter P;Level Shifter P;Level Shifter P;Level Shifter P;Automation and ;Level Shifter R;Timing Issues i;Timing Issues i;Power Planning ;System Design I;System Design I;MVS/AVS每个区域选择一个;静态多电压的一种实现由高VDD;采用静态多电源电压技术的SOC;动态变电压原理通