LED芯片制造工艺流程.pptVIP

MOCVD成长外延片过程 载流气体通过金属有机反应源的容器时，将反应源的饱和蒸气带至反应腔中与其它反应气体混合，然后在被加热的基板上面发生化学反应促成薄膜的成长。 因此是一种镀膜技术，是镀膜过程。 影响蒸镀层的生长速率和性质的因素： 温度 压力 反应物种类 反应物浓度 反应时间 衬底种类 衬底表面性质等 参数由MOCVD软件计算，自动控制完成，同时要实验修正摸索。 外延片生长中不可忽视的微观动力学问题 反应物扩散到衬底表面 衬底表面的化学反应 固态生长物的沉积 气态产物的扩散脱离 反应气体在衬底的吸附 表面扩散 化学反应 固态生成物的成核和生长 气态生成物的脱附过程等 注意：反应速率最慢的过程是控制反应速率的步骤，也是决定沉积膜组织形态与各种性质的关键。 进料区 反应室 废气处理系统 提供洁静的环境。 反应物抵达衬底之前应充分混合，以确保外延层的成分均匀。 反应物气流需在衬底的上方保持稳定的流动，以确保外延层厚度均匀。 反应物提供系统应切换迅速，以长出上下层接口分明的多层结构。 南京大学省光电信息功能材料重点实验室使用 系统简介 ????????本系统为英国Thomas Swan公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源气相外延(MOCVD)材料生长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体材料。在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器(LD)、日盲紫外光电探测器、高效率