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电力晶体管 结构电力晶体管(GiantTransistor)简称GTR，结构和 工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层 半导体、两个PN结组成。和小功率三极管一样，有 PNP和NPN两种类型，GTR通常多用NPN结构。 工作原理 在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。GTR 通常工作在正偏(Ib＞0)时大电流导通；反偏(Ib＜0 时处于截止状态。因此，给GTR的基极施加幅度足够 大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态 电力晶体管的原理和特点是什么? * 1、电力晶体管的类型及区别 2、电力晶体管对驱动电路有何要求 * 1、单管GTR 单管GTR是电力电子中最简单的一种，是NPN三重扩散台面型 结构，单管GTR结构可靠性高，能改善器件的二次击穿特性， 易于提高耐压能力，并易于散出内部热量。 2、达林顿GTR达林顿是由2个或多个晶体管复合而成，可以是PNP型也可以是 NPN型，其性质取决于驱动管。 一、种类 电力晶体管的种类及其区别 * 单管GTR的电流增益较低，而达林顿GTR的 增益相对于单管GTR高的多，达林顿晶体管 的放大倍数达到几十至几千倍但是达林顿GTR 的饱和压降却增加，增大了导通损耗，同时降 低了晶体管的工作速度。 二、单管GTR与达林顿GTR的区别 * * GTR对驱动电路的要求有几下几点： 1、采用基极驱动方式 2、防止过压 3、防止过流， 4、退饱和 电力晶体管（GTR）对驱动电路的要求 * 驱动电路的基本任务就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目 标的要求，转换为加在电力晶体管控制极和公共端之间，可以使其 开通和关断的信号。为了加速电力晶体管的开关速度过程，减小损 耗，使电力晶体管安全可靠地运行，驱动电路应满足如下的要求： ①应使驱动电路对主电路和控制电路有电气隔离作用； ②驱动电流应有足够陡的前沿，并有一定的过冲； ③基极驱动电路应能满足在任何负载下都应使晶体管 饱和导通； ④电力晶体管关断时，驱动电路应能提供幅值足够大的反向基极驱 动电流； ⑤驱动电路应有较强的抗干扰能力，并有一定的保护功能。 一、采用基极驱动电路 * 在驱动电路中，主电路和驱动电路之间的电气隔离采用光 隔离或磁隔离。 光隔离一般采用光偶合器，由发光二极管和光敏晶体管组 成，封装在一个外壳内，内部电路和基本接法分别如图1所示。 磁隔离的元件通常是脉冲变压器。为避免脉冲较宽时铁心饱和，常采用高频调制和解调的方法。 驱动电路的研究 结合实际并根据实验要求，制作了如下几种实用的基极 驱动电路。 基极驱动电路的隔离 * LED驱动电路 NMOS驱动电路 双光耦驱动电路 * 过压保护 瞬态过压。由于感性负载或布线电感的影响， GTR关断时会产生瞬态电压尖峰。瞬态过压是 GTR二次击穿手主要原因，它的防护一般是给 GTR并一RC或RCD网络，消除峰值电压，改善GTR开关工作条件。 * 过流保护 流过GTR的电流超过最大允许电流ICM时 ，可能会使电极引线过热而烧断，或使 结温过高而损坏。检测过流信号是技术 难点，检测到过流信号后，通常是关闭 GTR的基极电流，利用GTR的自关断能力 切断电路。 * GTR的电路中工作在准饱和状态，但也可因外部 电路条件的变化，使它退出了饱和区，进入了放 大区，使得集电极耗散功率增大。退饱和与过流 是2种不同现象。我们知道，GTR饱和的条件是 IB≥IC／β。因此，即使IC没达到过流整定值， 若IB减小或β减小，也会产生退饱和现象。 退饱和保护与过流保护相似。即在故障发生时， 利用GTR的自关断能力切断电路。在一定条件下， 退饱和保护可以取代过流保护。条件是退饱和保 护比过流保护先动作。在驱动电路中实现退饱和 保护，依据检测对象的不同，可分为UBE监测法或 UCE监测法，原理相同，都是利用ic升高时，UBE和UCE都会升高这一特点，若其超过UBE或UCE设定值就自动关断GTR驱动电路。由于UBE变化不如UCE变化敏感，工业上一般采用UCE监测法对GTR进行保护。 退饱和 * *