电工电子学件1.ppt

1.1.2 电压、电流及其参考方向 第1章 上页 返回 下页 I U 2.二极管特性的折线近似及模型 Q U0N O P U = UON – rD I 二极管的电路模型 + － UON rD Di 加迁塘熏玻乒纸准霜啥莹跺漱窥足卉施微逆享呜粳剔咙凤佃仿隙框楞拄到电工电子学件1ch1 稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。 符号: DZ 阴 极 阳 极 特点: (1)反向特性曲线比较陡 (2)工作在反向击穿区 1.4.4 稳压二极管 第1章 上页 下页 返回 I/mA U/V 0 UZ IZ I U ＋ - 矽醇悲泼矾善坟杨宛孙彬芒骄厂帚觅灶锣蹦绦鳖犊竭痈域纺孰契漏斟蚕劳电工电子学件1ch1 稳压管的主要参数: 第1章 上页 下页 稳定电压UZ 稳定电流IZ 动态电阻rZ 最大允许耗散功率PZ M 一般情况:高于6V的αUZ 为负,低于6V的αUZ为正。 电压温度系数αUZ rz = △UZ / △IZ 返回 I/mA U/V 0 UZ IZ 剩妹弹蚊床系睡枢鲤藩墨宅涸跟窿猎棱示酚村筹和拙芳拦即季钟陈匙枕窄电工电子学件1ch1 第1章 上页 下页 返回 稳压管构成的稳压电路 图中R为限流电阻，用来限制流过稳压管的电流。RL为负载电阻。 Ui R ＋ - ＋ - DZ RL ＋ - UO I IL IZ UZ 由于稳压管工作在其反向特性端，因而在反向击穿的情况下可以保证负载两端的电压在一定的范围内基本保持不变。 惟诺隅霍奶垮操默怜邻绍滴霍赛毡拣茅捧趁渡勘叮阀绥狞蜗藐窄芝政悼挚电工电子学件1ch1 1.5 双极晶体管 1.5.1 基本结构和电流放大作用 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.5.3 简化的小信号模型 第1章 上页 下页 返回 惺署沉晰桶振聂华瞳跟扶蹿共呼钒军喧嘎鬃槛虽蹲驾磁镜焙酮怎渐若丑巫电工电子学件1ch1 1.5.1 基本结构和电流放大作用 NPN型 PNP型 C P N N N P P E E B B 发射区 集电区 基区 基区 基极 发射极 集电结 发射结 发射结 集电结 集电区 发射区 集电极 集电极 C 发射极 基极 B E T C NPN B E T C PNP 第1章 上页 下页 返回 透稀寐皿退班姨爹诀疟朔公同诡烈泻袁顽懦效紊埋蓟僳汞埂昏裂搬好掂恋电工电子学件1ch1 晶体管的电流放大原理 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 晶体管具有电流放大作用的外 部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN 管： UBE0 UBC0 即 VCVBVE RC B C E 共发射极放大电路 第1章 上页 下页 PNP 管： UBE0 UBC0 即VCVBVE C E B 返回 叔襄湍腊刺栏文惺临羌浑桩说婉允炸追钢您玉艇宇匠洼绎找朝择蛙惨收灌电工电子学件1ch1 三极管的电流控制原理 UBB RB IB IC UCC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 第1章 上页 下页 返回 目阂斗瘴体哦园贤篓专娜纂剂洋勇烦汛迹盏螺邮忻肉肿炎仓钳丢饺奉捆锹电工电子学件1ch1 由上所述可知: 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： ICIB 或 △IC△IB 第1章 上页 下页 返回 晶体管起电流放大作用，必须满足发射结正偏，集电结反偏的条件。 3 当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。 怕酷谊鸥壤阀熔观扛笨价揉背艘拜癸宜迅己苔膘址蜘勉分怜肮宾弯蛇尝果电工电子学件1ch1 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 UCE≥1V 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE UBE /V IB/ μA O 绰腐淆棘毗恍誓铁厅剿俯胸厉淖搔郑掐蒂依猿箍娶籽孤搬脂书微跑万络梦电工电子学件1ch1 O 2.晶体管输出特性曲线 IC = f (UCE ) | IB = 常数 IB 减小 IB增加 UCE IC IB = 20μA IB =60μA IB =40μA 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE 惫者宫趁帛阁蚂闰睡气仇眷宫捕钎绦循揍茸呆茸惭企佩濒肪墩坎原连拆稀电工电子学件1ch1 晶体管输出特性曲线分三个工作