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随堂小测验 如何减小集成电路上连接器件的互连线的电阻和电容？ 什么是芯片的关键尺寸？ 随堂小测验 双极晶体管的集电极和发射极能否互换？为什么（请说出至少一个原因）？ 请写出增强型nMOSFET和pMOSFET， 耗尽型nMOSFET和pMOSFET，在常态下是开还是关。增强型和耗尽型的晶体管的沟道掺杂方式有什么不同？ 随堂小测验 请画出（221）平面。参考图4.9 请说出切片时，使用线锯来代替金刚石覆盖的锯刀的一个好处。 请说出使用平衡分凝系数接近1的杂质掺杂硅锭的一个好处。 随堂小测验 1 psia=? Pa 1 torr=? Pa 5°F=？°C 判断对错 等离子体不导电。 容器里的气体压强小于1托才被认为存在真空。 蒸气压反映材料的挥发性。 在一种材料的衬底上生长另外一种材料的外延层是不可行的。 随堂小测验 请列举静电释放带来的三个问题。 请解释典型的净化室服饰材料含有导电纤维的原因。 为了去除自然氧化层，很多清洗方法的最后一步是？ 随堂小测验 用去离子水清洗硅片时，为什么通过监测去离水的电阻率，就可以确定何时所有的化学物都被去除？ 在右图所示四探针法测试 中，电流I=1mA，测得的 电压值为2.12mV。如果膜 的电阻率为0.48Ω·cm,请 计算膜的厚度（膜的厚度远 小于探针间距，探针间距远 小于硅片的直径）。 随堂小测验 传统的扫描电子显微镜要求样品有 a) 导电性 b) 绝缘性 请列举多腔集成设备的两个好处。 辉光放电是怎样产生的？ 为什么原子团是高度反应的化学核素？ 随堂小测验 光刻区为什么用黄色的荧光管来照明？ 用砷代替磷做n-LDD注入有什么好处？ 为什么用钛来做CMOS反相器的金属接触，可以不用额外的掩膜? 随堂小测验 在热氧化中，最新的一层SiO2层是在 界面生成？ a) 硅/ SiO2 b) SiO2 /空气 c) 都可能 氧化在线形阶段是 控制的；在抛物线阶段是 控制的。 为什么晶向对线形阶段的氧化速率有影响，而对抛物线阶段的氧化速率没有影响？ 随堂小测验 SiCl4+2H2 Si+4HCl是 a)高温分解b)还原反应c)氧化反应d)光分解 在LPCVD工艺中，为什么硅片可以密集的放置？ 请列出磷硅玻璃（PSG）的两个优点。 随堂小测验 请问蒸发工艺在淀积合金的时候（比如淀积1：1的钛/钨合金），为什么可能出现淀积薄膜的组分和源材料的组分不同的情况（比如我们将1：1的钛/钨合金放在坩埚里作为源材料，但淀积出来的薄膜中钛和钨的比例却不是1：1）？ 铜的扩散阻挡层金属为什么要很薄？ 在离子化的金属等离子体PVD中，将金属离子化的好处是什么（请至少说出一个好处）？ 随堂小测验 定义对比度。对比度高或者低，哪一个有利于提高分辨率。 什么是暗场掩膜版？ 为什么曝过光的正性I线胶可以溶解于显影液？而没有曝过光的正性I线胶不能溶解于显影液？ 随堂小测验 在其它条件不变的情况下，如果透镜的半径增加了，NA会怎样变化？为什么？ 光刻胶下的材料对光的反射会造成哪两个问题？ 投影掩膜版上的保护膜为什么可以解决颗粒沾污问题？ 随堂小测验 高密度等离子体刻蚀机是如何改善高深宽比槽的刻蚀效果的? 什么是结深？ 如果SHpre=10μm, SHpost=1 μm, 请计算平整度。 * * * * *