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半导体物理与器件;本节内容;1.1 MOS电容 MOS电容结构;实际的铝线-氧化层-半导体;1.1 MOS电容 理想MOS 电容结构特点：;1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(1);1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(1);1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(2);1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(2);1.1 MOS电容 表面能带图:n型衬底(1);1.1 MOS电容 表面能带图:n型衬底(2);小节内容;1.1 MOS电容 空间电荷区厚度:表面耗尽情形;1.1 MOS电容 空间电荷区厚度:表面反型情形;1.1 MOS电容 表面反型层电子浓度与表面势的关系;1.1 MOS电容 表面空间电荷层电荷与表面势的关系;1.1 MOS电容 空间电荷区厚度:n型衬底情形;1.1 MOS电容 空间电荷区厚度:与掺杂浓度的关系;小节内容;1.1 MOS电容 功函数差:MOS接触前的能带图;1.1 MOS电容 功函数差:MOS结构的能带图;1.1 MOS电容