七金属和半导体的接触.pptVIP

第 七 章 ;§7.1 金属-半导体接触及其能带图;二、金属和半导体的功函数Wm 、Ws;2、半导体的功函数Ws;① N型半导体：;;三、金属与半导体的接触及接触电势差;金属半导体接触前后能带图的变化：;在接触开始时，金属和半导体的间距大于原子的 间距，在两类材料的表面形成电势差Vms。;现在考虑忽略间隙中的电势差时的极限情形:;在势垒区，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度比体内小得多，是一个高阻区域，称为阻挡层。界面处的势垒通常称为肖特基势垒。;2. 反阻挡层接触;金属与P型半导体接触时，若WmWs，即金属的费米能级比半导体的费米能级高，半导体的多子空穴流向金属，使得金属表面带正电，半导体表面带负电，半导体表面能带向下弯曲，形成空穴的表面势垒。;金属和p型半导体WmWs 空穴阻挡层;金属－p型半导体接触的反阻挡层;3、金属－半导体接触的阻挡层;表面态就是局域在表面附近的新电子态。它的存 在导致表面能级的产生。 表面能级：与表面态相应的能级称为表面能级。;实验表明，金半接触时的势垒高度受金属功函数 的影响很小。这是由于半导体表面存在表面态造 成的。;① 电子刚好填满EFS0 以下的所有表面态时，则 表面呈电中性,表面态局域电子的特性。 当EFS0 以下的表面态空着时，即没有被电子占据 时，表面呈正电，为施主型； ② EFS0上面表面态被电子占据时，半导体表面为 负电，是受主型