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三表面与界面
第三章 表面与界面;第三章 表面与界面;3.1 基本概念;;3.2 固体表面自由能的近似计算;1.单质晶体的规整面的表面自由能;;;;离子晶体表面双电层;氯化钠表面的双电层;金属材料表面的双电层 晶体周期性被破坏,引起表面附近的电子波函数发生变化,进而影响表面原子的排列,新的原子排列又影响电子波函数,此相互作用最后建立起一个与晶体内部不同的自洽势,形成表面势垒。当一部分动能较大的电子在隧道效应下穿透势垒,表面将形成双电层。;晶 界;晶 界;晶 界;晶 界;半共格界面模型● 以刃位错周期地调整补偿。对上部晶体,单位长度需要 附加的半晶面数等于 ,即位错间距: 对小的δ,可近似写成: 式中 b=(a + a )/2 。● 该模型认为界面上除位错心 附近外,其他位置几乎完全 匹配,在位错心附近的结构 是严重扭曲且点阵面是不连 续的。;;;2. 非规整面的表面自由能;3.两维晶体的平衡形状;;晶体形状与表面能( -图 ) -图的绘制:从一原点出发引矢径,其长度正比于该晶面的表面能大小,方向平行于该晶面法线,连接诸矢径端点而围成的曲面。 ; -图的应用与乌耳夫法则分析单晶体的理想平衡形状:对孤立的单晶体,各面表面能分别为 1 ,2 ,…,相应面积分别为Al ,A2 ,…,它的总表面能为Al l+ A2 2 + …。平衡状态下,自由能极小的条件为: = 极小值 对各向同性的情况,平衡形态为球形,如液体。对各向异性的晶体,按乌耳夫作图得出平衡形状。在 -图上的各端点作垂直于矢径的平面,所围最小体积的多面体即是晶体的平衡形状。乌耳夫法则:诸 和原点至晶面的距离 hi 之比为常数: ;2.3 表面曲率效应;曲率效应;;3.4 表面能与界面的杂质偏析(Gibbs吸附等温线);Gibbs吸附等温线;Gibbs吸附等温线;3.5 固体吸附( Langmuir吸附等温线);化学吸附;以形成离子键为主的离子吸附;以共价键吸附外来粒子;形成化合物;酸碱中心;;3.6 固体表面能的测量;固体表面能的测量;3.7 表面自由能之间的关系;3.7 表面自由能之间的关系;气敏传感器;气敏传感器;表面分析技术;;;;
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