几种典型的晶体生长方法要点分析.ppt

第二章 几种典型的晶体生长方法 具有较高的完整性，包括结构完整性和 组成完整性等； 具有可控的生长规律和生长习性； 在适当的环境和设备条件下，可合成出 具有较高实用价值或满足特定需要的晶体。 合理的驱动力场分布； 驱动力场的稳定、可控； 各生长技术参数的良好匹配； 精确配料和必要、合理的热处理； 力求避免各种形式的污染； 选择何种生长技术，取决于晶体的物理、化学性质和应用要求。一般原则为： ? 满足相图的基本要求； ? 有利于快速生长出具有较高实用价值、符合一定技术要求的晶体； ? 有利于提高晶体的完整性，严格控制晶体中的杂质和缺陷； ? 有利于提高晶体的利用率、降低成本。生长大尺寸的晶体始终是晶体生长工作者追求的重要目标； ? 有利于晶体的后加工和器件化； ? 有利于晶体生长的重复性和产业化； §⒈ 溶液法生长 溶液法的基本原理是将原料（溶质）溶解在溶剂中，采取适当的措施造成溶液的过饱和状态，使晶体在其中生长。包括有水溶液法、水热法与助熔剂法等。 水溶液法一般是在常压和较低温度（100℃以下）下进行。 ⑴ 溶剂的选择 对溶质有足够大的溶解度，一般要求在10%～60%范围内。（“相似相溶”规律） 合适的溶解度温度系数。 有利于晶体生长。生长的难易程度与溶质在晶体中和在溶液中缔合情况的相似性有关。 纯度高、稳定性好。 价格便宜、挥发性低、粘度和毒性小等。 ⑵ 溶解度 饱和曲线和过饱和曲线 ⑶ 降温法 基本原理: 利用物质大的溶解度和较大的正溶解度温度系数，在晶体生长过程中逐渐降低温度，使析出的溶质不断在晶体上生长。 关键：晶体生长过程中掌握适合的降温速度，使溶液始终处在亚稳态区内并维持适宜的过饱和度。 要求：物质溶解度温度系数不低于1.5g/kg℃； 生长温度一般在50～60 ℃ ，降温区间 15～25 ℃为宜。 ⑷ 蒸发法 基本原理： 将溶剂不断蒸发，通过控制蒸发量来控制溶液过饱和度，使溶液始终保持在一定过饱和状态，从而使晶体不断生长。 特点： 比较适合于溶解度较大而溶解度温度系数很小或者是具有负温度系数的物质。与流动法一样也是在恒温条件下进行的，适用于高温（＞60 ℃ ）晶体生长。 ⑸ 高温溶液法 应具有尽可能小的粘滞性、尽可能低的熔点和尽可能高的沸点； 应具有很小的挥发性、腐蚀性和毒性；不伤害坩埚材料； 应易溶于对晶体无腐蚀作用的溶剂中，如水、酸、碱等，以便容易将晶体从助熔剂中分离出来。 助熔剂法的特点及不足： 设备简单，适应性强，特别适用于新材料的探索和研究； 生长温度低，特别适宜生长难熔化合物、在熔点处极易挥发、变价或相变的材料，以及非同成分熔融化合物； 只要采取适当的措施，可生长比熔体法生长的晶体热应力更小、更均匀和完整； 生长速度慢，生长周期较长，晶体尺寸较小； 助熔剂往往带有腐蚀性或毒性； 由于采用的助熔剂往往是多种组分的，各组分间的相互干扰和污染是很难避免的。 遇到的主要问题是： 如何有效地控制成核数目和成核位置； 如何提高溶质的扩散速度和晶体的生长速度； 如何提高溶质的溶解度和加大晶体的生长尺寸； 如何控制晶体的成分和掺质的均匀性。 ⑹ 水热法 基本原理： 使用特殊设计的装置，人为地创造一个高温高压环境，由于高温高压下水的解离常数增大、黏度大大降低、水分子和离子的活动性增加，可使那些在通常条件下不溶或难溶于水的物质溶解度、水解程度极大提高，从而快速反应合成新的产物。 可分为温差法、等温法和降温法等。 特点： 适于生长熔点很高，具有包晶反应或非同成 分熔化而在常温常压下又不溶于各种溶剂或 溶解后即分解，且不能再结晶的晶体材料。 反应温度相对较低，可以制备其他方法难以 制备的物质低温同质异构体。 可以制备其他方法难以制备的具有多型性的 相变材料。 生长区基本处于恒温和等浓度状态，温度梯 度小,晶体热应力小。 宏观缺陷少、均匀性和纯度高。 绿柱石族宝石 化学成分：Be3Al2Si6O18 （其中Be、Al可被不同元素所替代） ⑺ 循环流动法 优点： ◆ 生长温度和过饱和度都固定不变，使晶体始终处在最有利的温度和最合适的过饱和度下生长，避免了因生长温度和过饱和度变化而产生的溶质分凝不均匀和生长带等缺陷。 ◆ 生长大批量的晶体和培养优质大单晶不受溶解度和溶液体积的影响，只受生长容器大小的限制。 缺点： 设备比较复杂，调节各槽之间适当的温度梯度和溶液流速之间的关系需要有一