开关电源波形产生原理分析.docVIP

先上个图，这是值得研究的波形四个点①②③④，绿色的为MOS驱动波形，紫色的为MOS电流波形，蓝色的为Vds波形 今天分享第①个点波形产生的原因： 第①个点就是传说中的米勒效应平台， 再上个MOS管的图：三个电容分别为MOS的结电容，这里不多说。 在MOS导通的瞬间，会经过米勒效应区（可理解为放大区），输入电容Cgs=C1+C2,此时的C1不再是静态的电容，而是C1=Cdg(1+A),A是放大系数。当驱动电流（Ig=Cgs*dVds/dt）给Cgs充电时，由于米勒效应等效到输入端的电容会放大N倍，输入电容突然增大，所以导致了充电电压的一个平台，有时甚至会有一个下降尖峰趋势平台（如上图），而这个平台增加了MOS的导通时间，造成了我们通常所说的导通损耗。 其实米勒效应描述的就是电子器件中输出和输入之间的电容反馈。? ? 上图中，Ls为漏感，Lm为激磁电感，Cs为分布电容，Cd和Cds分别为肖特基和MOS的结电容。 下面分析②点电流尖峰波形产生的原因： 在开关导通之前，输入电压和电感的感应电动势对结电容Cds和分布电容Cs进行了充电， 在Q1接通的瞬间，Cs和Cds瞬间放电,产生电流（①路线和③路线）叠加到MOS管。 如果是反激的话，次级关断，D1由于结电容产生反向恢复电流，经过线圈反射到初级， 如上图的②路线。如果是DCM模式，由于二极管中在MOS导通前已经没有电流存在了， 所以在DCM中这部分尖峰电流没有。 总结一下：就是由上面的①②③个通路产生了开通瞬间的那个电流尖峰。 ? 如有误区，请大家指出！ 先讲第④点吧，因为第③点我暂时也说的不清楚， ? ? 这个看起来图比较明显，为什么在DCM模式下才会有这个振荡？ 我们知道在DCM模式下，有一段初级电流和次级电流都为0的死区时间， 在这段时间内，初级激磁电感Lm会产生反电动势去阻碍初级电流为0（电感总是阻碍电流的变化）， Cds先是放电，等放到Vin时，Lm两端电压相等（因为LmLk，忽略Lk），为阻碍电感电流为0，Lm产生反电动势，同时对Cds进行充电， 当充电电压到Vin+Vor时，Cds又开始放电，如此反复发生阻尼振荡，就产生了我们看到的这个波形，谐振频率f=1/2π根号下(Lm+Lk)*Coss。 而Vds前面那个尖峰振荡频率高很多，是因为只有Lk和Cds发生阻尼振荡，谐振频率f=1/2π根号下Lk*Coss。 欢迎大家提出疑问！ 在副边整流二极管开通后，原边漏感储存的能量一部分进入了RCD吸收电路，一部分给MOS管DS电容充电，在MOS管管断后，VDS电压最高充电到输入电压+反射电压+尖峰电压。当吸收阶段完成后，由于MOS管DS电压高于输入电压+反射电压，接下来是不是DS电容与漏感会产生一个谐振？MOS管输出电容通过漏感给输入充电，由于漏感很小，反向电流相对较大，而这个电流时通过取样电阻的。同时由于这部分能量很小因此很快就衰减到零。 我只能理解到这一点，不知道对不对。 我说的是MOS管的DS电容，这个电容是跟MOS管并联在一起的，当MOS管开通的时候，DS电容放电，电流由电容上端经MOS管的D到达MOS管的S，然后回到电容的下端，因此这个电流是不会通过取样电阻的。（电流到了S脚不一定会流过取样电阻，你可以单独对MOS管DS之间的电容画个通路，看看他流过不流过取样电阻