微机原理及应用第六章存储器.docVIP

存储器 前面 解决存储器的使用方法 本章 解决 1. 存储器的类型 2. 存储器的组织 §6.1 半导体存储器的分类及特点 一: 分类 按记忆材料分类 A: 磁, 光存储器 B: 半导体存储器 2: 按CPU与存储器的耦合程序 A: 内存储器 — 半导体存储器 B: 外存储器 — 磁, 光存储器 3: 按存储器的读写功能 A: 读写存储器RWM(Read/Write Memory) B: 只读存储器ROM(Read Only Memory) 4: 按照数据存取方式 A: 直接存取存储器DAM(Direct Access Memory) B: 须序存取存储器SAM(Sequential Access Memory) C: 随机存取存储器RAM((Random Acess Memory) 5: 按器件原理分类 A: 双极性TTL器件存储器 相对 速度快 功耗大 集成度低 B: 单极性MOS器件存储器 相对 速度低 功耗小 集成度高 6: 按存储原理分类 A: 随机存取存储器 RAM (Random Acess Memory) 易失性存储器, 掉电丢失数据 B: 仅读存储器 ROM (Read Only Memory) 非易失性存储器, 掉电保持数据 二: 半导体存储器的性能指标 存储器的存储量 A: 根据存储二进制位确定 —— Bit B: 根据存储二进制字节确定 —— Byte C: 常用单位 字节 B (Byte) 千字节 KB (Kilo Byte) 兆字节 MB (Mega Byte) 吉字节 GB (Giga Byte) D: 单位换算 1KB = 1024B 1MB = 1024KB 1GB = 1024MB 2. 存储器存取时间 A: CPU向存储器单元写数据所需时间 B: CPU从存储器单元读数据所需时间 3. 存储器工作功耗 A: 存储器单元工作功耗 B: 存储器芯片工作功耗 4. 存储器工作电源 A: TTL器件时, 工作电源为 +5V B: MOS器件时, 工作电源为 +3V ~ +18V §6.2随机存取存储器 RAM 由于 RAM具有 R/W功能, 在计算机系统中大量使用 一: RAM的类型及特点 1: 静态 SRAM (Static RAM) A: 相对集成度低 存储单元由6个MOS场效应管 组成触发器锁存方式 B: 外围控制电路 — 简单 C: 用途 — 多用于单板机的数据存储 2: 动态 DRAM (Dynamic RAM) A: 相对集成度高 存储单元由1个MOS场效应管 加电容组成电荷方式 B: 外围控制电路 — 复杂, 需刷新电路 C: 用途 — 多用于系统机中的程序存储 二: SRAM存储器芯片 1: SRAM芯片内部原理图 2: 常用芯片及存储量 A: 2147 存储量 = 4096 * 1 = 4096Bit = 0.5KB B: 2114 存储量 = 1024 * 4 = 4096Bit = 0.5KB C: 6116 存储量 = 2048 * 8 = 18Kbit = 2KB D: 6264 存储量 = 8K * 8 = 64Kbit = 8KB 3: 存储器芯片的字与位 A: 字 —— 存储器芯片的存储单元数, 与地址线有关 B: 位 —— 存储单元存放二进制位数, 与数据线有关 4: SRAM 存储器芯片的引脚特点 AB DB A: 字线 A0 ~ An —— 接地址总线AB B: 位线 I/O —— 接数据总线 DB C: 片选线 /CS —— 由AB线译码产生 D: 读写线 /OE, /WE —— 由控制线 RD,WR控制 E: 电源线 VCC, GND —— 提供芯片功率 5: SRAM存储芯片6264 介绍(图6.2, 258页) A: 存储量 8K * 8 1) 字线 = 13 213 = 8K A0 ~ A12 2) 位线 = 8 I/O0 ~ I/O7 B: 片选线 /CE1 = L AND CE2 = H 片选有效 控制方式 高有效控制线接 CE2时 , /CE1 接地 低有效控制线接 /CE1时, CE2接正电源 注: 两条片选线是为了应用时控制方式多样 GND VCC C: 读写线 读有效 /WE = H /OE = L 写有