22_二极管课题.pptVIP

因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。 杂质半导体的转型：当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转为P型；当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将P型转为N型。 以N型半导体为基片，通过扩散工艺使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区。 在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在P区和N区交界面上，形成了一层不能移动的正、负离子，称为空间电荷区，也称耗尽区，势垒区，即PN结。空间电荷区形成的内电场一方面阻碍多子的扩散，另一方面加速少子的漂移，最终达到动态平衡。 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽，内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。所以扩散和漂移这一对