1 半导体二极管及其应用.ppt

上页 下页 后退 模拟电子 [解] 当D1、D2均导通时 + _ uO + _ uI 5 kW i1 R1 i2 R2 5 kW 6 V 18 V V1 V2 D1 D2 iD1 iD2 代入有关数据得 由此可知 D2导通的条件是uI＜18 V D1导通的条件是uI＞12 V + _ uO + _ uI 5 kW i1 R1 i2 R2 5 kW 6 V 18 V V1 V2 D1 D2 iD1 iD2 故 当uI≤12 V时，D1截止、D2导通。 + _ uO + _ uI 5 kW i1 R1 i2 R2 5 kW 6 V 18 V V1 V2 D1 D2 iD1 iD2 + _ uO + _ uI 5 kW i1 R1 i2 R2 5 kW 6 V 18 V V1 V2 D1 D2 iD1 iD2 当uI 18 V时，D1导通、D2截止 当12 V＜ uI ≤ 18 V时，D1、D2均导通 uO= uI uO=18 V uO~uI关系曲线 uO/V uI/V 12 18 30 12 18 0 [例4] 二极管的伏安特性如图所示，试画出二极管的电路模型。 uD iD O UD 1/rd [解] 写出伏安特性表达式 由表达式画出电路模型 rd UD iD uD _ + 电压源模型 电流源模型 rd UD/rd iD uD _ + 2. 硅稳压管的等效电路 反向击穿时端电压表达式 反向 正向 理想二极管 uZ Q O UZ iZ IZ UZ0 等效电路 D1 D3 D2 rZ UZ0 3. 硅稳压管稳压电路 R——限流电阻 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ (1) 稳压原理 a. UI不稳定 UI↑ → UO↑ → UZ ↑ → IZ↑ → I↑ → I R↑ 　 UO↓ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ b. RL改变 RL↓ → UO↓ → UZ ↓ → I R↓ → IZ↓ → I↓ UO↑ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ (2) 限流电阻计算 输出电压稳定的条件 （保证稳压管被击穿） DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ ≥ IZ(min)≤IZ≤IZM 稳压管正常工作的条件 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ UO=UZ 图中 IZ = I－IO DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 此时当IO为最小值IO(min)时，IZ值最大。 当UI为最大值UI(max)时，I值最大； IZ = I－IO 由式 知 由此可得 为保证管子安全工作,应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ ≤ ≥ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ IZ = I－IO 由式 此时当IO为最大值IO(max)时，IZ值最小。 当UI为最大值UI(min)时，I值最小； 知 由此可得 为保证电路正常工作，应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ ≥ ≤ 得 由式 及 ≥ ≤ ≤ ≤ 1.4.2 变容二极管 1. PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD 非平衡少子的积累 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . △U变化时，P区积累的非平衡少子浓度分布图 ΔU0 3 ΔU=0 ΔU0 2 1 x 电子浓度 3 2 1 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 这种电容效应用扩散电容CD表征。 PN结正向偏置电压越高，非平衡少子的积累越多。 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .