Chapter 7 電漿的基礎原理 - 義守大學 I-Shou University.PDF

Chapter 7 電漿的基礎原理 1 目標 • 列出至少三種用到電漿的半導體製程 • 列出電漿中的主要三種碰撞 •說明平均自由路徑 •說明電漿如何增強蝕刻及 CVD 製程 • 列出兩種高密度電漿源 2 電漿的應用 • CVD •蝕刻 • PVD • 離子佈植 • 光阻剝除 • 製程反應室的乾式清洗 3 探討主題 •什麼是電漿 ? • 為什麼要用電漿? • 離子轟擊 •電漿製程的應用 4 什麼是電漿 ? •電漿是具有等量正電荷和負電荷的離子氣體 •更精確的定義：電漿是有著帶電 與中性 粒子 之準中性氣體，電漿是這些粒子的集體行為 •例如： 太陽、火焰、霓虹燈等 5 電漿的成份 •電漿包含：中性原子或分子、負電荷 電( 子)及 正電荷 (離子) • 準中性： n = n (濃度 ) i e • 游離率： η n /(n + n ) e e n n 電子濃度，: n :離子濃度 e i n 中性原子或分子濃度: n 6 游離率 • 游離率主要決定於電漿中的電子能量 • 大多數電漿反應室游離率均低於0.01% • 高密度電漿 (High density plasma ,HDP)的游 離率約 1∼5% • 太陽中心處的游離率 ~100% 7 平行板電極(電容耦合型) 電漿系統 射頻功率 暗區或 電極 電漿 鞘層 到真空幫浦 8 電漿的產生 • 外加功率 •射頻 (Radio frequency, RF)