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2017-08-20 发布于北京
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第6卷笫1期邵阳学院学报(自然科学版) V01．6No．I 2009年03月 Journalof ScienceEdition) Mar·2∞9 ShaoyangUniversity(Natural 文章编号：1672—7010(2009)01—0046—04 印刷法制备多晶硅薄膜罗云荣，羊亿★，彭星煜，李广 (低维摄子结构与调控教育部重点实验室，湖南师范大学物理系，湖南长沙，410081) 摘要：本文以TiO：溶胶与硅粉混合采用印刷法制备了多晶硅薄膜，利用x射线衍射、卜V测试系统．扫描电镜以及分光光度计表征了样品结构与特性．研究了薄膜退火条件及TiO，晶相对多晶硅薄膜性能的影响．结果表明：在 550C退火lh，TiO：为锐钛矿相的条件下，所制多晶硅薄膜的电导性最好，其电导率与其他条件下的样品相比提高了约 1个数量级．关键词：印刷法：TiO：；多晶硅薄膜中图分类号：0484 文献标识码：A of ThinFilms Poly-SiliconbyPrinting Preparation LUO Yi木，PENGXing-yu，LIGuang Yun-rong，YANG Structuresand Control Laboratoryoflow-dimension Q,,nntumofMin厶tryofEducation,DepartmentofPhysics， (Key Qu叽t．m HunanNormal Province，PR．China,410081) University，Changshacity，Hunan coIlosolsi stmeUⅡeand Abstract：Inthis thinfilmsare fromTi02 and byprinting powder．The paper,theply-silicon prepared a聆characterized and effectof conditionandthe offilms XRD。I-Vmeasurement，SEM properties by spectrophotometer．Theannealing is of onthe of thinfilmsare resultsshowthatthe condition Ti02 propertiesply-silicon investigated．The optimal crystallinephase onehour and ofthosefilmsiIIcn硇鲫1orderof thanother for at550。C TiO：anatase conductivity annealing phase．’rhe