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《模拟CMOS集成电路设计》课程试卷（A）卷 考试形式 闭 卷 年 月 院系：电子信息学院 年级 专业 学号： 姓名 成绩 1． 以NMOS为例，简要说明何谓沟道长度调制效应。（10%） 2． MOS管的跨导对于由MOS管构成的电路性能有重大的影响，试分析MOS管工作与饱和区时，以下三种情况下，跨导随着某一个参数变化，而其他参数保持恒定时的特性，画出相应曲线。 （1）W/L 不变时，gm 与 (VGS-VTH ) 的变化曲线； （2）W/L 不变时，gm 与 ID 的变化曲线； （3）ID 不变时，gm 与 (VGS-VTH ) 的变化曲线；（共15％） 3．对于下图所示的电路，画出IX 和晶体管跨导关于VX 的函数曲线草图，VX 从0变化到1.5 V 。 （10％） 4．假定以下电路中的MOS管都工作于饱和区，计算该电路的低频小信号电压增益，输入阻抗以及输出阻抗，假定λ≠0，γ＝0。（10％） 5．试分析以下所示电路的高频率响应特性 （1）求传递函数H(S)； （2）求输入阻抗； （3）求输出阻抗；（10％） 6．求以下电路的输入参考热噪声电压，假定λ＝0，γ＝0。（15％） 7. 下图为带有反馈系统的一级运算放大器，试分析以下电路：（20％） （1）判断反馈的类型； （2）求该反馈系统的环增益； （3）求闭环时的小信号增益； （4）求闭环时的输入和输出阻抗。 8. 试画出带隙基准的构成原理框图，做简单说明，并且说明带隙的含义。（10％）