硅片的清洗及制绒.pdfVIP

硅片的清洗与制绒 1 硅片的化学清洗 硅片表面沾污的杂质 由硅棒、硅锭或硅带所切割的硅片,表面可能沾污的杂 质可归纳为三类： ①油脂、松香、蜡、环氧树脂、聚乙二醇等有机物； ②金属、金属离子及一些无机化合物； ③尘埃及其他颗粒（硅，碳化硅）等。 2 硅片的化学清洗 超声清洗 颗粒沾污：运用物理方法，可采取机械擦洗 或超声波清洗技术来去除。 超声波清洗时，由于空洞现象，只能去除 ≥ 0.4 μm 颗粒。兆声清洗时，由于0.8Mhz的加速度 作用，能去除 ≥ 0.2 μm 颗粒，即使液温下降到40℃ 也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避 免超声洗硅片产生损伤。 3 硅片的化学清洗 常用的化学清洗剂 硅片化学清洗的主要目的是针对上述可能存在的硅 片表面杂质进行去除。常用的化学清洗剂有高纯水、有 机溶剂（如甲苯、二甲苯、丙酮、三氯乙烯、四氯化碳 等）、浓酸、强碱以及高纯中性洗涤剂等。 4 硅片的化学清洗 几种常用化学清洗剂的去污作用 （1）硫酸 热的浓硫酸对有机物有强烈的脱水炭化作用，采用 浓硫酸能有效去除硅片表面有机物； （2）王水 王水具有极强的氧化性、腐蚀性和强酸性，在清洗 中主要利用王水的强氧化性； 王水能溶解金等不活泼金属是由于王水溶液中生成 了氧化能力很强的初生态氯[Cl]和氯化亚硝酰； HNO3+HCl=NOCl+2[Cl]+2H2O 5 硅片化学清洗 （3）RCA洗液 （碱性和酸性过氧化氢溶液） RCA Ⅰ号（碱性过氧化氢溶液），配比如下（体积比）： DI H2O ：H2O2:NH4OH=5:1:1-5:2:1 RCA Ⅱ号（酸性过氧化氢溶液），配比如下（体积比）： DI H2O ：H2O2:HCl=6:1:1-8:2:1 RCA洗液使用方法：75 －85oC，清洗时间10－20分钟，清 洗顺序为先Ⅰ号后Ⅱ号。 6 硅片化学清洗 IC行业硅片常规RCA清洗 H2SO4/H2O2 DI Water Rising HF/DHF DI Water Rising RCA Ⅰ DI Water Rising RCA Ⅱ DI Water Rising Dry 7 硅片化学清洗 H2SO4/H2O2 作用：硫酸、过氧化氢溶液通过氧化作用对有机薄膜进行 分解，从而完成有机物去除。清洗过程，金属杂质不能 去除，继续残留在硅片表面或进入氧化层。