半导体材料第3讲-区熔提纯分析.pptVIP

质量迁移1、熔化时体积缩小，输运的方向与区熔的方向一致 第一段，刚开始区熔，熔化时A熔区体积缩小,设锭材高为1，熔化时体积缩小后高为x x xy1 第二段，熔化时第二个熔区B体积缩小,第一个熔区冷凝，由于A是从左到右局部冷凝，而且B熔区也开始熔化，所以A冷凝后的高度略增加，而且从左到右缓慢上升 A A B 如果熔区不移动，则A熔区冷凝后还会增加体积恢复原样，但由于熔区的移动，不断有材料熔化而造成体积缩小，即使先凝固的部分体积略有增加，也必需与熔化的部分保持一个平面，而不可能凭空拨高，所以凝固区从左到右高度增加，但不会到原来的高度。 y 半导体材料 Tel: Email：zxdlab@163.com 第二章 区熔提纯(zone-refine) 区熔提纯是1952年美国科学家蒲凡提出的一种物理方法，用于制备超纯的半导体材料，高纯金属。 2.1 分凝现象 将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中的浓度是不同的，这种现象称分凝现象或偏析现象。 区熔提纯就是利用分凝现象将物料局部深化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量集中在尾部或头部，进而达到使中部材料提纯的目的。 平衡分凝系数 定义： 平衡分凝系数 = 杂质在固相中的浓度 CS 杂质在液相中的浓度 CL 在某一温度下，固液两相平衡的条件下 平衡分凝系数描述了固液平衡体系中杂质的分配关系 加入杂质后，纯组分A的熔点可能出现的变化：1熔点降低，2、熔点升高。 Tm TL TS CL Cs CL C’ C’ 液相 固相 含有杂质，熔点降低的二元相图 K0 = CS / CL = CL / C’ 1 分凝系数= C固相 / C液相 熔区 锭条 C0 熔区 锭条 CS C0 设初始杂质浓度为C0 TL Tm TL TS CL Cs CL C’ C’ 液相 固相 熔点 CL CsC0 说明：材料中含有使其熔点下降的杂质，局部熔融，固液两相达到平衡时，液相中杂质浓度比固相中杂质浓度大。 K0 = CS / CL = CL / C’ 1 熔区 锭条 C0 熔区 锭条 CS C0 TL CL CsC0 说明：材料中含有使其熔点上升的杂质，局部熔融时，固液两相达到平衡时，液相中杂质浓度比固相中杂质浓度小。 设初始杂质浓度为C0 K0 = CS / CL = CL / C’ 1 由图2-1中的液固两相二元相图，可推测出： 能使材料熔点下降的杂质，K01，熔融再凝固结晶时固相中的浓度小于液相中的浓度，所以提纯时杂质向尾部集中 能使材料熔点上升的杂质，K01，提纯时杂质向头部集中 结晶以一定速度进行时的界面分析 未区熔部分C0 C0 熔区CL CL CL=C0 CSC0CLCInterface 杂质富集层 （CInterface) 对于K1的杂质，当结晶速度大于杂质由界面扩散到熔体内的速度，杂质就会在界面附近的熔体薄层中堆积起来，形成浓度梯度加快杂质向熔体内部的扩散。最后达到一个动态平衡，形成稳定的界面薄层，称杂质富集层（或扩散层）。 C0 CL CS CS 贫乏层 （CInterface) K1 K1 CinterfaceCLC0CS 熔区CL 未区熔部分C0 已区熔部分CS 有效分凝系数 有效分凝系数 Keff = 固相杂质浓度 CS 熔体内部杂质浓度CL0 当界面不移动或移动速度f 趋于零时，CL0→ CL，则Keff → K0 当结晶过程有一定速度时，Keff ≠ K0，此时，Cs = KeffCL0 描述界面处薄层中杂质浓度偏离对固相中杂质浓度的影响。 BPS公式（伯顿-普里-斯利奇特公式） 讨论了平衡分凝系数与有效分凝系数的关系 意义： 有效分凝系数Keff,是平衡分凝系数K0，固液界面移动速度f，扩散层厚度δ，和扩散系数D 的函数 当fD/δ, e-f/(d/δ)→ 　　 → 0，则有： 从上式中可以看出，如果固液界面移动速度很快，则f值很大，杂质在熔体中的扩散速度较慢， fD/δ,有效分凝系数接近1，则达不到利用分凝效应使杂质向一边集中，从而提纯的效果。 当fD/δ,e(-f/d/δ)→e-0 → 1，则有： 为使分凝效应显著，应使凝固速度fD/δ，通常(f10-3 cm/s)。采用电磁搅拌熔体，会使扩散层中积累的杂质加速输运到整个熔体中。扩散层厚度δ变小，有助于Keff趋向于K0 区熔原理 正常凝固 将一锭条全部熔化后，使其从一端向另一端逐渐凝固的方式称正常凝固。 由于存在分凝现象，正常凝固后锭条中的杂质分布不再均匀，会出现三种情况： K1的杂质，越接近尾