！#$%阴极对提高芴基饱和红光器件性能研究！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 %’ ( 3 ( ， ， ， 8V7 =%’ UV =( 6CWB7 3 （ ） !.#)*3*%’ ( *().’ 6426 +PT/O46 /OUO46 !3 4XBF = +XY5 = /VI = !#$ % 阴极对提高芴基饱和红光器件性能的研究! ） ） ）） ）） ! # $ # 田仁玉 阳仁强 彭俊彪 曹 镛 !）（华南理工大学物理科学与技术学院，广州 %!’( ） ）（华南理工大学高分子光电材料与器件研究所，广州 %!’( ） # ）（华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室，广州 %!’( ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’ ) ! ’ ! !% 从聚合物 电极界面修饰的角度对基于饱和红光聚合物 （，二辛基芴与 ，二硒吩 ，，苯并噻二 * +,-./012 ) ). ( 3. . ! #. 唑的无规共聚物）的发光二极管的性能进行了改进，通过采用 45,*67 阴极并优化 45, 的厚度以及在+,-./012!* 阳 极界面插入聚乙烯基咔唑（ ）层，使器件的最大电致发光外量子效率达到 ，比采用低功函数的金属 +89 !:3) ; 1*67 阴极器件的效率提高了两倍多 器件的性能得以改善的原因是 阴极能有效提高电子注入能力以及 层对 = 45,*67 +89 电子的阻挡作用= 关键词：聚合物发光二极管，聚合物 电极界面， 阴极，电子注入 * 45,*67 ： ， ’%!! 3#’ 3?’, 装提出了很高的要求，并且这些金属还易与有机层 ［ ］ !: 引 言 反应，使发光猝灭!( = 随 ，二硒吩 ，，苯并噻二唑（ ）含量的 ( 3. . ! #. /012 近年来，由于在大面积平板信息显示领域的