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第一章：二极管的构成原理(要点) 常用半导体器件有二极管和三极管，常用三极管又分为双极性管与MOS管。 §1 二极管的电路功能与构成原理 二极管的描述：PN结的单向导电性是由于在不同极性的外加电压下，载流子的不同传输过程形成的。 半导体的输入信号（直流正向电压与负向电压，交流电压），输出信号（正向导通电压，负向稳压；正向电流，负向饱和电流；扩散电容（正向导通），势垒电容（负向电压））。半导体对输入信号的作用：①正向直流电压:数字开关—导通;正向小电源---预置电压;正向电流; 扩散电容②反向直流电压:数字开关—截止;饱和负向电流;反向稳压;势垒电容.③交流电压.正向电流随外加电压的微小变化有显著变化,利用导通状态二极管电阻动态微小性.(变容二极管的原理不是很清楚??) 常量:二极管导通电压. 在电路中，导通状态的二极管可作为三类器件使用:导线（称为理想二极管）；固定电源；固定电源电阻；断开状态的二极管相当于断路。理想二极管导通—断开两种状态，可以作为数字开关；利用固定电源特性，二极管可作为限幅电路；有内阻的电源？？二极管的电路功能，与二极管的内部构成相关,将PN结用外壳封装起来,并加上电极引线就构成半导体二极管。 1.1 PN结的构成与特性方程 PN结的形成，用在同一块硅片上的P型半导体与N型半导体直接接触制作而成.半导体根据材料特性分为纯净半导体与杂质半导体. 1.1.1 本征半导体 将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体,称为本征半导体.晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格.本征半导体晶格结构中的相邻原子因为相互间的引力,使距离变短,它们的外层电子构成共价键结构.4价半导体每个共价键有两个价电子,每个原子存在四个共价键。硅是4价元素。 在常温条件下,本征半导体的导电特性. 常温中, 本征半导体存在热激发,但是共价键有很强的结合力,仅有极少数价电子从晶格环境的热量中取得能量,摆脱共价键的束缚,成为自由电子;与此同时,在共价键中留下一个空位,称为空穴.因此,本征半导体中出现一个空穴,是因为有一个自由电子,所以两者成对出现，数目相同。本征半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。自由电子在运动的过程中若与空穴相遇会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。在一定温度下，本征激发产生的自由电子-空穴对，与复合的自由电-与空穴对数目相等，达到动态平衡。自由电子和空穴所带电荷极性不同，所以它们的运动方向相反，而且本征半导体是电中性的半导体。运载电荷的粒子称为载流子。本征半导体有两种载流子：自由电荷和空穴均能够参与导电。 本征半导体，热运动，本征激发与常温复合的动态平衡，自由电子，空穴 在一定温度下，本征半导体中载流子的浓度一定，自由电子的浓度与空穴的浓度相等，而且本征半导体载流子的浓度是环境温度的函数。理论分析表明，本征半导体载流子的浓度为： 式中：两类载流子的浓度单位（），T为热力学温度，k为波尔兹曼常数（），EGO为热力学零度时破坏共价键所需的能量，称为禁带宽度（硅为1.21eV，锗为0.785eV），K1是与半导体材料载流子有效质量和有效能级密度有关的常量（硅为，锗为）。 ①;②，因此，本征半导体导电能力（载流子的浓度）具有温度敏感性，环境温度造成本征半导体稳定性差。本征半导体载流子的浓度是环境温度，材料载流子性质，材料禁带宽度的函数。 本征半导体结构，自由电子-空穴参考图示见下图： 1.1.2 杂质半导体 本征半导体的载流子浓度具有温度敏感性，不可控制，而且两类载流子数目相同，所以本征半导体的导电性不能利用。通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。杂质半导体中两类载流子的浓度不同，可作导电材料。掺入不同的杂质元素，可形成N型半导体和P型半导体，分别使自由电子或空穴的浓度远远大于另一类载流子浓度。控制掺入杂质元素的浓度，可控制杂质半导体的导电性能。 一 N型半导体 在纯净的硅晶体中，掺入五价元素（如磷），取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体晶格中，一个杂质原子最外层有5个电子，与4个相邻硅原子形成4个共价键，因此有一个电子不受共价键的束缚，常温下热激发，就可成为自由电子；五价杂质原子固定在晶格上，缺少一个电子，成为不能移动的正离子。因此有一个来自杂质的自由电子，就有一个杂质正离子，因此N型半导体是电中性的。N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称自由电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载流子（简称少子）。因为五价杂质原子提供电子，所以称为施主原子。杂质原子的浓度决定多数载流子的浓度。 二 P型半导体 在纯净的硅晶体中，掺入三价元素（如硼），取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。在P型半导体晶格中，一个三价杂质原子最外层有3个电子，