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自由站立介孔硅薄膜电导率M. Khardani; M.Boua?cha; W. Dimassi; M. Zribi; S. Aouida; B.Bessa?sa的aLaboratoirePhotovolta?que和半conducteurs研究所巴黎国家科学研究等技术，BP 95，2050澡堂LIF，突尼斯bLaboratoirePhotovolta?que和材料，高等国立D工程师突尼斯BP，37，丽城1012，半conducteurs突尼斯抽象自由站立的p +型具有范围从30％到80％的孔隙率的多孔硅层的有效的导电性进行了研究实验和理论的两侧。的有效介质近似（EMA）模型作为理论支持。阳极电流密度为不同的值，通过电化学蚀刻方法，在多孔硅（PS）膜的制备。为了模拟的PS的导电性，自支撑的多孔层被假定为三个阶段形成真空，氧化物和Si纳米晶。使用量子限制理论成立的Si纳米晶体的导电性的解析表达式。这使我们能够介孔膜的导电率的有效带隙能量估计的吸收系数的值相关联。一个完美的理论和实验的电导率值之间的协议获得所有展望的PS孔隙。关键词介孔硅;电导率; EMA1。介绍多孔硅（PS）是目前最活跃的研究其可能使用的各种类型的设备，例如电致发光显示器，光学过滤器，导波传感器，隔离器，热电元件和太阳能电池材料之一[1]，[2]和[ [3]。但是，这些应用需要详细了解这种材料的电学和光学性质。电动交通工具在多孔材料的研究是一个具有挑战性的问题。特别是，多孔硅的电输运谅解一个重要的问题是如何解释PS直流电导率比较，与manocrystalline硅的导电性的行为。在这里学习的基础材料，是一个独立的介孔硅薄膜厚度在10和50微米之间不等。实验值，的有效电导率σexp的估计从串行电阻Rs的Au / PS / Au的结构的Rs的值推导出的暗电流 - 电压（I-V）特性的互惠/ PS / Au的结构。理论有效的电导率σth的估计使用有效介质近似（EMA）[4]和量子限制理论[5]。的有效带隙能量估计的自由站立的PS层的吸收系数。2。实验的2.1。样品制备自由站立的介孔硅层具有不同的厚度和孔隙度分别制备阳极溶解的（100）的装置导向的掺杂硼的p + - 型（电阻率约0.02Ω厘米）单晶硅在一个林克芝HF（40％HF：乙醇≡1：1）的解决方案，通过应用不同的电流密度。的自由站立的聚苯乙烯薄膜具有直径为12毫米的圆形表面。成形后的PS膜，0.2微米的金（Au），热蒸发在具有直径为3毫米的圆形表面的介孔膜的正面和背面两侧上厚层。互惠接触，然后在2分钟的红外炉中在450℃下烧制，以确保欧姆接触。的孔隙率和由重量法估计的PS层的厚度。2.2。从实验的电导率的的电导率（σexp）的测量是通过使用暗电流 - 电压（I-V）特性。由于一个事实，即正面和背面Au接触电极的欧姆，在黑暗的I-V特性的Au / PS / Au的结构被认为是线性的。这样的I-V曲线的斜率，使我们估计的串联电阻，然后PS的情况下的实验导电层的值。2.3。光学测量用紫外 - 可见 - 近红外分光光度计（UV-3100，岛津制作所）在300-1800纳米波长范围内，光谱透射率（T）和反射率（R）的测量进行。图图1示出在两个不同的聚苯乙烯薄膜具有的孔隙度为32％的（a）和80％（b）条的吸收系数α与入射的光子能量（Hυ）的变化。的吸收系数α，推导出从T和R的光谱，使用规定的T =（1 - R）2上面的吸收边的电子αD关系，其中d是聚苯乙烯薄膜的厚度。图图2示出的有效带隙能量（推导出（αhυ）1/2）为一个函数的孔隙率。有趣的是，要注意的吸声系数增加（图1）的孔隙率增大。通常这是由于有效带隙的增加。图1。典型的PS吸收系数与光子能量的不同孔隙率：32％（a）和80％（b）条。图2。的聚苯乙烯薄膜与孔隙度的有效带隙3。结果这是众所周知的，基于介孔硅的p +型硅具有珊瑚的结构[6]。互连的量子线的壁（量子阱的）[7]，一般由薄的氧化膜覆盖[7]和[8]。由此，很明显考虑介孔材料由三个阶段组成：真空，硅微晶与的体积分数νv，νQW和νOx和氧化物，[7]和[8]。因此，多孔结构的有效的电导率σeff取决于微晶（σQW），氧化物（σOx）和真空（σV）的导电性。它可以通过求解式。 [4]（1）从均线理论推导。 （1）式。 （1）解决了通过考虑从文献[9]的值σOx和σV。 vv是孔隙度和σOx的是一个参数。的导电性晶体（σQW），推导出与今后开发的方法。在p型聚苯乙烯薄膜，由于这样的事实，量子点/导线的尺寸在几纳米的范围内，可感知的光致发光（PL）和量子限制的理论解释[1]，[2]，[3 ]，[5]，