微量元素对NiCrCo高温合金微观缺陷和d电子的影响.pdfVIP

线高能端的本底一在谱线高能端，谱线峰高与本底之比高于104。但 由于511keVY射线康普顿平台的影响，在谱线低能端，本底仍然较 高。 为进一步降低本底，我们研制了双高纯锗探头—二维多道符合技 术正电子湮没辐射多普勒展宽装置。同一湮没事件产生的两个Y光子 (能量为E，和EO分别被两个反平行放置的高纯Ge探头探测到并 被存进二维多道分析器中。以能量El，E2作为横纵坐标，构成一个二 维平面，计数对应于每个(El，E2)，这样可以得到三维正电子湮没辐 lkeV的道址处，有一个很强的峰， 射Doppler展宽谱。在El=E2=51 对应于正电子与价电子湮没。峰中心的两边，正交的两条带将平面分 成四个象限。沿着与两条坐标轴成450的对角线上的计数，两个湮没 keV keV 1，光子的能量之和El+E2=2moc2=1022El+E2≈2moC2=1022 事件的贡献。因此，我们选取沿对角线方向的截面上的计数，就可以 得到本底比较低的、能够反映高动量电子湮没细节的多普勒展宽谱。 谱线的峰高与本底之比高于105。 (2)分析第四周期金属元素的多普勒展宽谱，从中提取3d电子 的信息。实验发现，第四周期过渡族元素H，V，Cr，Mn，Fe，Co， Ni，Cu的商谱的谱峰随着原子序数的增加往高动量方向移动，各元 素的电子平均动量随原子序数的增加而增大。原子中的3d电子数目 ’ 越多，商谱的谱峰越高。 n 行为的研究，我们发现随着退火时间的增加，合金内部的缺陷密度减 少，正电子与3d电子湮没的几率增大。提高退火温度也可以起到同 样的效果。 (4)分析不同磷含量Ni—Cr-Co合金的多普勒展宽谱，我们发现P 偏聚于晶界，降低合金的晶界能。随着合金中P含量的增加，正电子 与3d电子湮没的几率降低，这是由于P原子的3p电子易与高温合 金的3d电子发生3d__3p杂化作用，减少了正电子与3d电子湮没的 几率。正电子寿命谱结果表明，随着P含量的增加，合金基体和晶界 缺陷处的自由电子密度降低，这些地方的金属键结合力降低。过量的 磷在晶界偏聚，可能会在晶界面上形成强共价键而削弱垂直于该面的 金属键，从而降低晶界结合力。 关键词：正电子湮没多普勒展宽装置符合技术本底Ni—Cr-Co高 温合金3d电子微观缺陷 Ill EFFECTSoF MICRo—ALLoYINGELEMENTSoN MICRoDEFECTSANDdELECTRoNSINNi．Cr-Co SUPERALLoYS ABSTRACT ofthe means characteristicsof annihilation，a By positron system with2 Gedetectorsand2-dimensionmultichannel hi曲purity analyser for coincidence of measuring Dopplerbroadeningspectrapositron annihilationradiationhasbeenbuiltinthis this work．With system，the of