单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究.PDFVIP

维普资讯 器 与 纳米 件 技术 icD NNaannooeelleeccttrroonnCDeevviccee＆＆ Technology 单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究 黄改燕，陈长鑫，张亚非 (上海交通大学 微纳米科学技术研究院，微／纳米加工技术 国家级重点实验室， 薄膜与微细技术教育部重点实验室，上海 200030) 摘要 ：综述 了碳纳米管场效应晶体 管 (CNTFET)的主要 结构和导 电沟道 的制备 工艺，如 AFM 探针操控、CVD原位生长、交流介 电泳和 L—B大面积操控排布等方法。在对 CNTFET的这些结 构和制备工艺进行详细分析的基础上，着重指出 目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属 性单壁碳纳米管 (SWCNT)的烧除、接触 电阻大、滞后现象以及 P型CNTFET转化等 问题，并 针对这些问题提 出了具体可行的解决方案。 关键词：单壁碳纳米管；碳纳米管场效应晶体管；肖特基势垒；超声纳米焊接；原位生长 中图分类号 ：TN304．18；TB383；TN386．3 文献标识码 ：A 文章编号 ：1671—4776 (2008) 02．．0078．．05 ProcessResearchofPreparingSingle—WalledCNTFET Huanggaiyan，Chenchangxin，Zhangyafei (NatoinalKeyLaboratoryofMicro／NanoFbaricationTechnology，KeyLbaoratoryofThinFilmandMicrofabrication ofMin~tryofEducatoin，InstituteofMicro／NanoScienceandTechnoloyg,ShnaghaiJiaotongUniversity, Shnaghai200030，China) Abstract：Thepreparationprocessofstructureandconductingchannelincarbonnanotubefieldeffect transistor (CNTFET)wasreviewed，includingAFMmanipulation，CVDin—situgrowthofsingle—walled carbonnanotube fSWCN1r)，ACdielectrophoresisandL—Bmanipulation，etc．Basedonthestructures and preparation techniques，someexistingproblemswerediscussed，suchastheburningdownof metallicSWCNT，scale—downofSchottkybarrier，eliminationofhysteresisandthetransferofp-type CNTFETinton—typeCNTFET．Thespecificsolutionswereproposed． Keywords：single—walledcarbonnanotube(SWCNT)；carbonnanotubefieldeffecttransistor(CNT— FET)；Schottkybarrier；ultrasonicnano—weldingt