震荡电路的设计与量测.docVIP

震荡电路的设计与量测在半导体制程技术的不断提升下，产品体积大幅缩小，对功能与运算时脉却更为要求，因此，本文以晶体震荡电路的设计与量测为题，探讨相关特性与技术。 由于科技的日新月异，IC内部的复杂度与精确度较从前大幅提升，所需的时脉速度也越来越高，相对的要求时脉的稳定度与精确度也大幅提升，如何利用晶体（Crystal）来设计与量测所需的振荡电路，已经成为一个重要的课题，以下我们分成几个部分加以讨论。电气特性有鉴于其晶体电气特性的复杂，我们针对晶体的电气特性或是振荡电路有影响的部分，做一详细讨论，由于陶瓷/晶体的电器特性相似，所以也一并讨论。 等效电路 陶瓷/晶体虽然在电器特性上有些差异，但是等效电路(图一)是相同的，虽然陶瓷振动的谐振现像，可以视为与晶体相同，但主要差异在陶瓷振动的振荡频率，电感L1较小，串联电容C1相当大，此乃意味着串联谐振频率（fs）与并联谐振频率（fa）差（即fs-fa）会变得相当宽阔。 　图一 Crystal / Ceramic model 　 图二 串联共振 并联共振当晶体工作在串联共振时，等效电路(图二)阻抗在时是趋近于0，好的串联共振线路设计，与负载电容无关，所以就不需要指定。 当晶体工作在并联共振时，就像一电感在电路上，因此负载电容就非常重要，因为它可以决定振荡点的位置，如(图三)所示。而且电抗改变，频率也跟随着改变，所以在不同频率与间，由、L1决定，在并联线路的设计上，负载电容是需要指定的，如(图四)所示。 图三 并联共振频率区域 　 图四 并联共振 AT-CUT与BT-CUT典型的AT-CUT曲线是S形，BT-CUT曲线是拋物线形，如(图五)所示；两种Cut都对称于室温（25±3℃）。在相同的频率下，BT-CUT的Quartz blank相对的比A-CUT厚，因此提供较好的Yield与低单价，在选择适当的切割前，要注意的是他们所拥有的不同移动参数和频率VS温度特性。 　 图五 温度曲线图改变负载电容和PullabilityPullability是定义频率与负载电容的关系，而负载电容是指与晶体串联或是并联的电容。如果晶体工作在并联振荡时，晶体就会等效于电感，当电抗改变时，频率也会跟着改变，不同的频率在与间，由晶体的与CL决定。 （公式一）　 相同的晶体在3倍频工作模式下，Pullability影响较小，因为C1在3倍频模式下的电容值是在基频下的约1/9。? 如果CL小或者是C1大，则频率的灵敏度就会提升，导致在较小负载电容的情况下，设计和控制准确频率的难度很高。Overtone Crystal 倍频的晶体架构(图六)，为基频的奇数倍。　 图六 overtone crystal modelCrystal的基本参数 （公式二） 　（公式三） 　（公式四） 　（公式五） 　Change frequency（serial to parallel）振荡原理在了解晶体的电器特性后，我们可以来设计一个稳定的振荡器，使用放大器来设计振荡线路，必须满足在起振频率点的两个条件：? (1)必须为正回授，即在输入与输出的相位相差360度。?(2)在起振频率开回路增益必须大于一。 就像Barkhausen所提的法则，共振器必须把需求频率以外的增益抑制，并提供所需的相位偏移。 (图七)是描述两个最普遍的振荡配置图，是使用反相器来做振荡，是目前最受欢迎的设计方式 图七 (a)串联共振振荡器 (b)并联共振振荡器为完整起见，我们也画出使用离散组件来设计振荡电路，如(图八)所示。我们使用双极性或单极性晶体管来达成，今天这些振荡器似乎被限定在专门的应用或是非常便宜的玩具上。 　 图八 (a)Pierce振荡器 (b)Colpitts振荡器 (c) Clapp振荡器 　 考虑串联振荡如图七(a)所示，两个反向器达成360度的相位移，当晶体在起振频率时，阻抗相当于R1，有最少衰减。第一个反向器上的电阻是提供一个偏压，使它能工作在线性区。第二个反向器驱动晶体振荡出方波。由于晶体的高Q值和反向器的增益在高频时会急遽下降，方波所包含的谐波被压抑，所以sine wave可以在第一个反向器输入端观察到。 并联共振，如图七(b)，是目前被使用最多的方法，通常被当作IC内部clock使用。不像串联共振，它只需要一个反向器提供一个180度的位移，剩下的90度位移由R2 C2来提供，晶体本身振动在串联谐振，晶体内部的R连同C1增加90度，全部共移动360度，R1是提供反向器工作在线性区。如果有足够的增益在晶体的振荡频率，就可以满足Barkhausen法则。? 理论上，Crystal工作应如上述所说，但实际上并非这样。首先，特别是在高频，反向器会出现内部的延迟，导致相位会大于180度，大约在185度以内。再来就是R2 C