Ce∶KNSBN晶体中光擦除双光束耦合放大系数的温度特性.PDF

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2017-06-13 发布于天津
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Ce∶KNSBN晶体中光擦除双光束耦合放大系数的温度特性

29 3 Vo 1. 29 No. 3 2000 3 ACT A PHOT ONICA SINICA M arch 2000 CeKNSBN 吉选芒　王金来 ( , 044000) 安毓英　刘劲松 ( , 710071) 用耦合波方程和带导模型建立了光擦除双光耦合的理论 . 引入了信号光放大系数定义并研究了其温度特性. 实验发现, 当晶体温度从 320K 提高到 370K 时, 在波长为 632. nm 的光情况下, Ce ∶KNSBN 晶体中信号光的放大系数提高1. 7 倍. 实验结果和理论分析定性符合. 通过改变晶体温度可提高放大系数. 光擦除双光耦合, 放大系数; 温度特性 0 1 1 . 1( 0) I . 2 ( 0) 1 , I C , C1 .Ie 1 2 , . I ( 0) I ( 0) , , I 1( 0) I2 ( 0) C1 , 1 . CeLiNbO3 C1 2 . Dou S X CeBaT iO3 Ia(z ) = I 1( z ) + I2 (z ) + Ie(z ) ( 1) 3 4 . Chi Mingjun RhBaT iO3 , Ja Y H . , . . . . 632. nm He-Ne , CeKNSBN . 320K 370K , 1. 7 . , . , 1 3 5K . Fig . 1Sketch of an opt ically erased t wo-w ave . coupling configuration * 国防科技预研基金资助项目收稿日期: 1999—09—01 22 29 = s( 1+ 2) / ( 1+ 2+ s+ e) ( 2) I I I I I I 1 , 2 , s= / I I I S . , S . s e , I . 5 , 1 s 1 2 a s 1 dI / dz = - I I / (I + I ) - I ( 3) dI2/ dz = sI 1I2/ (Ia+ Is) - I2 ( 4)