存储器及其接口技术.pptVIP

第5章 存储器及其接口技术 ;5.1 存储器分类;速度快 容量小;二、半导体存储器的分类 ;1.SRAM(Static RAM)：静态RAM，其基本存储电路由双稳态触发器构成，每一个双稳态元件存放1位二进制数，只要不掉电，信息就不会丢失，不需要刷新电路。 2.DRAM(Dynamic RAM)：动态RAM，其基本存储电路为单管动态存储电路，需要刷新电路。 3.NVRAM(Non Volatile RAM)：非易失性RAM，它由SRAM和EEPROM组成，正常工作时SRAM保存信息，在掉电瞬间，把SRAM中的信息写入EEPROM中，从而使信息不会丢失。 4.PSRAM(Pseudo Static RAM)：伪静态读写存储器。是片内集成了动态刷新电路的动态存储器，使用时不再专门配置刷新电路，可作为一个静态RAM使用。 5.MPRAM(Multiport RAM)：多端口RAM，有多个端口，每个端口可对RAM进行独立地读写操作。 6.FRAM(Ferroelectric RAM)：铁电介质读写存储器，是一种新型的非易失性存储器，写入速度非常快。;　　(1)掩膜工艺ROM(Masked ROM) 这种ROM是芯片制造厂根据ROM要存储的信息，设计固定的半导体掩膜版进行生产的。一旦制出成品之后，其存储的信息即可读出使用，但不能改变。这种ROM常用于批量生产，生产成本比较低。微型机中一些固定不变的程序或数据常采用这种ROM存储。 (2)PROM(Programmable ROM) 可编程只读存储器。允许用户利用专门设备对其写入数据或程序(称为对存储器编程)，但是只能写入一次。编程之后，信息就永久性地固定下来，用户只可以读出和使用，不能改变其内容。 (3)OTPROM(One Time Programmable ROM) 一次编程只读存储器。与PROM一样可编程一次，但是采用了EPROM技术生产，可靠性高，没有石英玻璃窗口。;　　(4)EPROM(Erasable Programmable ROM) 可擦去重写的PROM。允许将其存储的内容采用紫外线照射擦去，然后重新对其进行编程，写入新的内容。擦去和重新编程可以多次进行。所写入的内容可以长期保存下来(一般均在10年以上)，不会因断电而消失。如下图所示： ; (6)Flash Memory 快擦写可编程只读存储器，简称为闪存(闪速存储器)。可以用电气方法快速擦写存储单元的内容，类似于EEPROM。既具有SRAM的读写功能和较快速率，又具有ROM断电后信息不丢失的特点。主板上BIOS和USB闪存盘上的Flash Memory芯片，如图下所示。;1.存储容量 　　一个半导体存储器芯片的存储容量指存储器可存放的二进制信息量。其表示方式一般为： 芯片容量=芯片的存储单元数×每个存储单元的位数 　　例如：6264静态RAM的容量为8K×8bit，即它具有8K个单元(1K＝1024)，每个单元存储8bit(一个字节)数据。动态RAM芯片NMC41257的容量为256K×1bit。 　　在构成微型计算机内存系统时，可以根据要求加以选用。当计算机的内存确定后，选用容量大的芯片可以少用几片，这样不仅使电路连接简单，而且使功耗和成本都可以降低。 ;2.存取时间 　　存取时间TAC(Access Time)就是存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间，即CPU给出内存地址信息后，到取出或者写入有效数据所需要的时间。 器件手册上给出的存储器芯片的存取时间参数一般为上限值，称为最大存取时间。CPU在读/写RAM时，它提供给RAM芯片的读/写时间必须比RAM芯片所要求的存取时间长，如果不能满足这一点，则微型机无法正常工作。 3.功耗 　　使用功耗低的存储器芯片构成存储系统时，不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可提高存储系统的可靠性。 ;4.可靠性 　　微型计算机要正确地运行，要求存储器系统具有很高的可靠性，因为内存的任何错误都可能使计算机无法工作。而存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。 存储器的可靠性用平均无故障时间MTBF来表征，它表示两次故障之间的平均时间间隔，MTBF越长，其可靠性越高。目前所用的半导体存储器芯片平均无故障时间MTBF大概为5×106～1×108小时。 5.性能/价格比 　　“性能”主要包括存储容量、存取周期和可靠性。构成存储系统时，在满足性能要求的情况下，应尽量选择价格便宜的芯片。;5.2 随机读写存储器; 图 六管静态RAM基本存储电路;2.SRAM的结构及组成 静态RAM中的存储单元一般排列成矩阵形式。内部是由很多基本存储电路组成的，为了选中某一个单元，往往利用矩阵式排列的地址译码电路对