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半導體製造技術第 3 章元件技術 課程大綱 區分類比與數位電路之差異及區分主動與被動元件。解釋於被動元件中的寄生結構之效應。 描述pn接面及說明其重要之理由。解釋反向與順向偏壓。 敘述雙極性電晶體技術之特點，說明雙極性電晶體之動作、偏壓、結構與應用。 由場效電晶體、偏壓與CMOS之反相器等重要觀點，解釋CMOS技術之基本特性。 解釋MOSFETs中增強模式與空乏模式之差異。 解釋寄生電晶體效應與CMOS閉鎖現象。 舉例說明IC產品，並說明其應用範圍。  電路形式 類比電路 數位電路 PC母板的組件 被動元件結構 IC 之電阻結構 寄生電阻結構 IC 之電容器結構 寄生電容結構 在IC的電阻結構 存在於電晶體的寄生電容 主動元件結構 pn接面二極體 雙極性接面電晶體 Schottky二極體 雙極性 IC 技術 CMOS IC 技術 增強模式與空乏模式之MOSFET 反向偏壓之pn接面二極體 順向偏壓的pn接面二極體 矽二極體順向和反向I-V曲線 兩種類型的BJT npn電晶體基本電路 pnp電晶體基本電路 npn BJT橫切面 Schottky二極體的符號和結構橫切圖 雙極性邏輯的家族 CMOS IC 技術 場效電晶體 MOSFET nMOSFET導通模式之偏壓 pMOSFET導通模式之偏壓 Biasing the nMOSFET Biasing the pMOSFET CMOS 技術 BiCMOS 技術 增強模式與空乏模式之MOSFET nMOS電晶體偏壓電路 nMOS電晶體導通模式 n通道MOSFET的特性曲線 p通道MOSFET的偏壓電路 pMOS電晶體導通模式 CMOS反相器的符號 CMOS反相器俯視圖 CMOS反相器橫切面 BiCMOS於一簡單加熱控制系統之應用 BiCOMOS反相器 MOSFETs的增強模式和空乏模式之比較 在CMOS結構的寄生接面電晶體 IC產品 線性 IC 產品 運算放大器 穩壓器 步進馬達驅動器 數位 IC 產品 揮發性記憶體 RAM DRAM SRAM MPU or CPU 數位 IC 產品(續) 非揮發性記憶體 ROM PROM EPROM EEPROM ASIC PLD PAL PLA MPGA FPGA mV測量訊號 CPU 輸出 輸入t BiCMOS BiCMOS DAC ADC 數位 設定 迴授 0-5 V 0-5 V AMP AMP 驅動訊號 類比 加熱裝置 製程反應室 溫度感測器 + 48 VDC 圖 3.24 CMOS區 雙極性區 輸入 輸出 Q1 Q2 Q3 Q4 Redrawn from H. Lin, J. Ho, R. Iyer, and K. Kwong, “Complementary MOS-Bipolar Transistor Structure,” IEEE Transactions Electron Devices, ED-16, 11 Nov. 1969, p. 945 - 951. 圖 3.25 閘極 源極 汲極 p型矽基板 n+ n+ 源極 閘極 汲極 p+ p+ n型矽基板 閘極 源極 汲極 n型矽基板 p+ p+ 閘極 源極 汲極 n+ n+ n型矽基板 圖 3.26 T1 T2 RS n型基板 VSS VDD S D D S G G p+ p+ P井 n+ n+ n+ p+ pMOSFET nMOSFET RW 圖 3.27 * .tw ?2005 DLIT, All rights reserved DE LIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY .tw ?2005 DLIT, All rights reserved 授課老師：王宣勝 n- 基板 金屬接觸 薄膜型態的電阻 SiO2，介電材料 金屬接觸 n- p- 擴散的電阻 SiO2，介電材料 圖 3.1 在電晶體的寄生電阻橫切圖 REC REB RBB RBC RCC RCB 金屬接觸電極 本體電阻 n+ n+ p- 基極 射極 集極 p-基板 圖 3.2 IC的電容器結構 基板 氧化介電層 金屬接觸 基板 介電材料(氧化物) 第二摻雜多晶矽層 第一多晶矽之金屬接觸 第一摻雜多晶矽層 基板 擴散區的金屬接觸 摻雜多晶矽層 p- 擴散層 基板 第一多晶矽層 第二多晶矽層 介電材料(氧化物) 圖 3.3 n n n S D G p?基板 氧化層 摻雜多晶矽 FET BJT n p n C E B p