任务二半导体三极管及其应用.pptVIP

图2.1 三极管的结构及符号 * * 2.1 半导体三极管 2.2 基本放大电路 2.3 放大电路的静态工作点对输出波形的影响 2.4 放大电路的直流偏置方式 2.5 放大电路的三种组态 2.6 放大电路性能指标的估算 2.7 多级放大电路 2.8 放大电路的频率特性 本章小结 任务二 半导体三极管及其应用 2.1 半导体三极管 2.1.1 三极管的结构 三极管是由两个PN结构成的，其基本特性是具有电流放大作用。三极管按其结构不同分为NPN型和PNP型两种。相应的结构示意图及电路符号如图2.1所示。 任务二 半导体三极管及其应用 任务二 半导体三极管及其应用 三极管内部结构分为发射区、基区和集电区， 相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。 发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电 区和基区之间的PN结称为集电结。 电路符号中，发射极的箭头方向表示三极管在 正常工作时发射极电流的实际方向。 任务二 半导体三极管及其应用 三极管在制作时，其内部结构特点是： (1 ) 发射区掺杂浓度高； (2 ) 基区很薄，且掺杂浓度低； (3 ) 集电结面积大于发射结面积。 以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。 任务二 半导体三极管及其应用 三极管按其所用半导体材料不同，分为硅管和锗管； 按用途不同，分为放大管、开关管和功率管； 按工作频率不同，分为低频管和高频管； 按耗散功率大小不同，分为小功率管和大功率管等。 一般硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。 任务二 半导体三极管及其应用 2.1.2 三极管的电流放大作用 1.三极管放大的条件 三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏，此时，各电极电位之间的关系是： NPN型 UC＞UB＞UE PNP型 UC＜UB＜UE 如图2.2所示。 任务二 半导体三极管及其应用 图2.2 三极管放大的外部偏置条件 任务二 半导体三极管及其应用 2.电流分配关系 图2.3是NPN管放大实验电路。 图2.3 放大实验电路 任务二 半导体三极管及其应用 电路中的三极管的偏置满足发射结正偏，集电结反偏。 发射结正偏，可使发射区的多子（自由电子）通过PN结注入到基区，以形成基极电流IB； 集电结反偏，使集电极电位高于基极电位，于是在集电结上有一个较强的电场，把由发射区注入到基区的自由电子大部分拉到集电区，形成集电极电流IC。 调节Rb，改变IB的大小，得出相应的IC和IE的数据，如表2.1所示。 任务二 半导体三极管及其应用 表2.1 电流放大实验数据 5.10 4.10 3.10 2.10 1.10 0.01 0 IE(mA) 5.05 4.06 3.07 2.08 1.09 0.01 0.004 IC(mA) 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 -0.004 IB(mA) 由表可得：三极管各电极电流分配关系是： IE = IB + IC 由于基极电流很小，因而IE≈IC。 任务二 半导体三极管及其应用 通常称 为共射极直流电流放大系数，因而有： 通常 称为共射极交流电流放大系数。 由表2.1还可知：β≈ 任务二 半导体三极管及其应用 3.放大作用的实质 由上述实验结果可知，当IB有一微小变化时，能引起IC较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用。 电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此称三极管为电流控制型器件。