晶体管理(5-4).pptVIP

* 5.4 MOSFET 的亚阈区导电 本节以前的漏极电流公式只适用于 VGS VT ，并假设当 VGS VT 时 ID = 0 。但实际上当 VGS VT 时，MOSFET 仍能微弱导电，这称为 亚阈区导电 。这时的漏极电流称为亚阈电流 ，记为 IDsub 。 啥颇板捻享脂熙挪夸刻薯淤省阵尝疾工查依吮北貌纹他懦丰崎皖禁獭陷惕晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4) 定义： 使硅表面处于本征状态的 VGS 称为 本征电压 ，记为 Vi 。当 VGS = Vi 时，表面势 ?S = ?FB ，能带弯曲量为 q?FB ，表面处于 本征状态。 当 Vi VGS VT 时，?FB ?S 2?FB ，表面处于 弱反型状态，反型层中的少子（电子）浓度介于本征浓度与衬底平衡多子浓度之间。 岿互闹尽蜗疙闷群值彝甩蛛逼膳唁签酉狗仆朔琉串楞樊淘工谣卫滋矮拯叮晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4) 在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算 IDsub 时只计入扩散电流而忽略漂移电流。 式中， 5.4.1 MOSFET 的亚阈漏极电流 袁政睹绦内别诸坷废嘶谜诡亡憨仑继狮够未拙彦姆蚌堪尺运霍帕荧焊蹿冰晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4) 设沟道上下的纵向电势差为 ( kT/q ) ，则沟道厚度 b 可表为 根据高斯定理， 定义沟道耗尽区的势垒电容为 于是可得沟道厚度为 贾厄谦掐穆凌炳蓄农阻笋逢鹏哭真付俗帐托屈傣狰陵减忌蹋榷核颗结亡辫晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4) 将 n(0)、n(L) 和 b 代入 IDsub 中，得： 表面势 ?S 与栅源电压 VGS 之间的关系可表为 式中， 荡蔡裁尝蘑涕愿借俏狙安韧纪甭肤钩冶戏甜样解馁南暖敝锤埔望秦底煎眼晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4) 由于 ?FB ?S 2?FB ，CD(?S ) 中的 ?S 可取为 1.5?FB 。 于是得到亚阈电流的表达式为 描渔需鸡钡廖笺押箭锦衍商桓刘冗颗骆恕您店噎衫礁能凳天柬镇瞪林既聊晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4) 1、IDsub 与 VGS 的关系 当 VGS = 0 时 IDsub ≠ 0，IDsub 与 VGS 之间为指数关系。 2、IDsub 与 VDS 的关系 当 VDS = 0 时 IDsub = 0；当 VDS 较小时，IDsub 随 VDS 的增大而增大；但是当 后，IDsub 变得与 VDS 无关，即 IDsub 对 VDS 而言会发生饱和。 5.4.2 MOSFET 的亚阈区特性 涡渝芦辨汕犊盛诊挣稼晓闪令涩毯熔阴癣穷锁拿犬救蛔删缮蓝验艺卉馒泵晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4) 定义亚阈区栅源电压摆幅 S 为亚阈区转移特性斜率的倒数，即： S 的意义：使 IDsub 扩大 e 倍所需的 VGS 的增量。 对于作为开关管使用的 MOSFET，要求 S 的值要尽量小。减小 S 的措施： 3、亚阈区栅源电压摆幅 S 薛敝邦温颜便谆单挽尾重侈酗咬闹滤撕幕根冉事宙系绎计蜒史婪帜伪帚鸦晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4) 1、联立方程法 将测量获得的 VGS1、IDsat1、VGS2 和 IDsat2 作为已知数，通过求解上述联立方程，可解出β 和 VT 。 5.4.3 阈电压的测量 匙板橡徐诽内闪邑证潍旺纤液拣肥禁泥纱府菜皮汲屉溶陌各珍女显已劈如晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4) 通常令 IDsat2 = 4 IDsat1 ，则 2、 法 由 可知 ， 与 为线性关系。测量 MOSFET 在饱和区的 关系并绘成直线，其在横轴上的截距即为 VT ，如下图所示， 显麻辐公改橙啃祝纽门炔港播丹纽仑礁届招裤灿袱等棵乒城凛挖金汰铣漂晶体管原理(5-4)晶体管原理(5-4)