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第九章 光电式传感器 第一节 光电式传感器的基本知识 一、光电传感器的基本概念、主要特点和工作原理 二、常用光源及光电式传感器种类 第二节 光电式传感器及其基本特性 一、光电管、光电倍增管 二、光敏电阻 三、光敏晶体管 四、光电池 第三节 光电式传感器的应用 一、高温比色温度仪 二、光电比色计 三、光电式带材跑偏检测装置 四、物体长度及运动速度的检测 本章小结 本章小结 　　（1）光谱特性 　　4．光敏晶体管的基本特性 　　光敏晶体管在入射光照度一定时，输出的光电流（或相对灵敏度）随光波波长的变化而变化。一种晶体管只对一定波长的入射光敏感。如图所示。 　　不管是硅管还是锗管，当入射光波长超过一定值时，波长?，相对灵敏度?。 　　不同材料的光敏晶体管，其光谱响应峰值波长也不相同。硅管： 1.0 ?m 左右，锗管： 1.5 ?m 左右。 第二节 光电式传感器及其基本特性 　　（2）伏安特性 　　光敏三极管在不同照度下的伏安特性，就像普通三极管在不同基极电流下的输出特性一样，如图所示。改变光照就相当于改变普通三极管的基极电流。 第二节 光电式传感器及其基本特性 　　（3）光电特性 　　指外加偏置电压一定时，光敏晶体管的输出电流和光照度的关系。 　　光敏二极管光电特性的线性通常较好，光敏三极管的电流放大倍数在小电流和大电流时都会下降的。如图下所示，曲线 1、曲线 2 分别是某种型号的光敏二极管、光敏三极管的光电特性。 第二节 光电式传感器及其基本特性 　　（4）温度特性 　　温度变化对亮电流的影响较小，但对暗电流的影响相当大，并且是非线性的，这将给微光测量带来误差，如下图所示。1——输出电流，2——暗电流。 第二节 光电式传感器及其基本特性 　　（5）频率特性 　　光敏晶体管受调制光照射时，相对灵敏度与调制频率的关系称为频率特性。如右图所示。减少负载电阻能提高响应频率，但输出降低。 　　工业用的硅光敏二极管的响应时间为 10 -7 ~ 10 -5 s 左右，光敏三极管的响应时间比相应的二极管约慢一个数量级。 　　（6）响应时间 第二节 光电式传感器及其基本特性 　　光电池的工作原理是基于光生伏特效应，当光照射到光电池上时，可以直接输出光电流。 　　常用的光电池有两种，一种是金属 - 半导体型，另一种是 PN 结型。现以硅光电池为例说明光电池的结构及工作原理。 第二节 光电式传感器及其基本特性 　　1．光电池的结构及工作原理 　　在 N 型衬底上渗入 P 型杂质形成一个大面积的 PN 结，作为光照敏感面。光子能量大于硅的禁带宽度，P 型区每吸收一个光子就产生一对光生电子 - 空穴对，并形成由表及里扩散的自然 趋势。PN 结内电场使扩散到 PN 结附近的电子 - 空穴对分离，光生电子被推向 N 区，光生空穴被留在 P 区，从而使 N 区带负电，P 区带正电，形成光生电动势。 第二节 光电式传感器及其基本特性 　　2．光电池的基本特性 　　光电池对不同波长的光有不同的灵敏度。右图 1——硅光电池，2——硒光电池。 　　硅光电池的负载电阻不同，输出电压和电流也不同。1 ——负载开路时的特性曲线，2 ——负载短路时的特性曲线。 　　（1）光谱特性 　　（2）光电池的光电特性 第二节 光电式传感器及其基本特性 　　（3）光电池的温度特性 　　光电池的开路电压和短路电流随温度变化的关系称为温度特性。从右图中可以看出，光电池的光电压随温度变化有较大变化，温度? ? 电压?，而光电流随温度变化很小。 　　（4）光电池的频率特性 　　频率特性是指输出电流与入射光的调制频率之间的关系。当入射光的调制频率太高时，光电池的输出光电流将下降。 第二节 光电式传感器及其基本特性 　　3 ． 短路电流的测量 　　运算放大器的开环放大倍数 Aod→∞，所以 UAB→0，A 点为 0 电位（虚地）。光电池的负载电阻值为 0，产生的光电流为短路电流。根据运算放大器的“虚断”性质，则输出电压 Uo 为 　　从上式可知，该电路的输出电压 Uo 与光电流 I? 成正比，从而达到电流/电压转换关系。 第二节 光电式传感器及其基本特性 二、光电比色计 一、高温比色温度仪 三、光电式带材跑偏检测装置 四、物体长度及运动速度的检测 　　光电式传感器属于非接触式测量，通常由光源、光学通路和光电元件三部分组成。 　　按照被测物、光源、光电元件三者之间的关系，通常有如下图 4 种类型。 （a）被测物为光源 （b）被测物吸收光通量 （c）被测物为可反射表面 （d）被测物遮蔽光通量 1—被测物 2—光电元件 3—恒光源 第三节 光电式传感器的应用 　　式中，K1，K2　为与 ? 1、? 2 及物体的温度有关的常数。 　　物体在两个特定波长 ?1、?