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纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟
第 卷增刊 半 导 体 学 报
24 VOl.24,Supplement
年 月
2003 5 HINESE JOURNAL OF SEMI ON U ORS May, 2003
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纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟
周继承 龙思锐 何红波 李义兵
(中南大学计算科学与信息学研究所 长沙, 410075)
摘要 介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序 该程序可模拟电子通过包含小隧道: .
结 电容和理想电压源的电路输运过程 并利用该程序 对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟~ . , .
关键词 隧道结 量子岛 蒙特卡洛方法 计算机模拟: ; ; ;
PACC: 7790; 7135; 7320
中图分类号: 3024.2 文献标识码: 文章编号: 0253-4177(2003) 0-0205-04
N A S
服上述三方面的外界扰动.
1 引言 首先 为使库仑阻塞能抑制电子的热扰动 必须, ,
满足:
单电子效应的发现可以追溯到 年 当时 2
1951 , g /2ck T (1)
B
[1]在研究粒状金属在低温下的电阻时发现它 其中 为波尔兹曼常数 为环境温度 为纳米; ;
GOrter kB T c
有反常增大的现象,他认为可以引入小电容的充电 结的电容;g 为一个电子的电荷量 其次 电子电荷. ,
能来解释这个结果. 与 [2,3]~ 与 2 h
Giaever Zeller Lambe 能 /2 要远大于量子扰动能量 ,其中 为普
g c h
Jaclevic[4]在研究超导隧道现象时 分别独立地发现, 8RC
朗克常数 为纳米结的结电阻 这就要求 远大, .
R R
在极低温度~低偏压下埋藏于氧化物中的金属颗粒
于量子电阻R :
样品的电阻表现出异常增大的行为.
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1992年前后 关于单电子效应的理论已经基本, R R = 4g2 ~ 6.5(k )
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