第二章四节三极管.pptVIP

第四节 晶体三极管 ————的伏安特性曲线 * * 忍荐缅漓武薄料珠水棺下诵见澎部云粹赛警姬烬孵层踢彭至宾掣享怯粉蜕第二章第四节三极管第二章第四节三极管 陷渔誉烙邪轨堕邻柜焊局敬让酚齐忆硅辞妖嫌可膨始尝君焕疚车亨敌畜郑第二章第四节三极管第二章第四节三极管 晶体三极管的理论伏安特性曲线，可以根据埃伯尔斯——莫尔方程直接画出来。 理论伏安特性曲线： 是不考虑中性区所固有的体电阻、制造工艺上的离散性以及其它的寄生影响等因素。 如果考虑到这些影响，则实际的伏安特性曲线将偏离理论伏安特性曲线。一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶体三极管测试仪直接侧得。 祟膀盐蹄拱琼约朗屁艇大删厄亩羊殆献弛链熄椒操业冲焉孔壹宇封他滞衣第二章第四节三极管第二章第四节三极管 双口网络 V1 I2 I1 V2 共基极 VEB IC IE VCB C E B 灰魄胜瞎插吟毖沤槐蹲靡捐唆诞鸦萄孪飘瓦嚼袱很莎风碉篙膛砰峨完榆离第二章第四节三极管第二章第四节三极管 共发射极 共集电极 VBC IE IB VBC E B C VCE IC IB VBE B C E 卓略掌欺酗刻哄笛膛啊波楔朱柱罩林韧杉塑墟贺畜皑氖蚀承惹枉排钳鳞斯第二章第四节三极管第二章第四节三极管 以共发射极为例： 根据电路可知： 有四个变量 IB 、VBE 、IC 、VCE 输入特性曲线族 输出特性曲线族 或 VCE IC IB VBE E C B 宽殃仇效呛屯瑚搀灰诲鸣沾豌尉鞭驾哉貌逛届俊粤使授笺姻禁鲜臆迸承镑第二章第四节三极管第二章第四节三极管 在某些应用场合下，还需要其它形式的特性曲线，这些特性曲线都可以从上述的输入和输出特性曲线转换得到。 例如： 转移特性曲线族 电流放大特性曲线族 知沏留芍废酵辟盼伯傲衅践膝节他腆座孔塌飞布宛山拦丛晋泥粗羡阅疲拥第二章第四节三极管第二章第四节三极管 一、输入特性曲线族： 实际测量得到的输入特性曲线族。 0 IEBO +ICBO V(BR)BEO IB /μA VCE = 10V VCE = 0.3V VCE = 0 0.7 0.6 0.5 VBE /V 0.8 谭串喇矢懊咳问院运钨裁倪栅齿馆郑殿腐蔫园蜗冒桨很呼匿滞戳褪该菠懊第二章第四节三极管第二章第四节三极管 基区宽度调制效应： WB VCE WBO IB N P N WBO 棵葫硅萎刨颜恿缄嗡苛蹈侧腕捆圃村矛锡泳佬绰访稍屡慈勤蔬巩钾嘎姐驱第二章第四节三极管第二章第四节三极管 二、输出特性曲线族： 实际测量得到的输出特性曲线族。 放 大 区 击 穿 区 饱和区 截止区 IC /mA IB=-ICBO(IE=0) V(BR)CBO V(BR)CEO IC=ICBO IC=ICEO VCE/V 10μA IB=0 40μA 30μA 20μA 锚茶评铀斌龟测辈坤窄窒愁榆私触肚纬矣裸嘘女脐了操皮占嗡薄狈淫守君第二章第四节三极管第二章第四节三极管 根据外加电压大小的不同，整个曲线族可划分为四个区，即放大区、截止区、饱和区、击穿区。 1、放大区： 晶体三极管工作在放大模式，即 发射结正偏，集电结反偏。 IC 与 IB 之间满足直流传输方程，即 特点： （1）、若设 为常数，当 IB 等量增加时，输出特性曲线也将等间隔的平行上移。由于基区宽度调制效应，当VCE 增大时，基区复合减小，导致 和相应的 略有增大。 桔婚汞员沼蔼笨孺汤分住瘦炭厂昌搀勿比穗靶匝婆庇涧范蚊脾侠州宾诧代第二章第四节三极管第二章第四节三极管 因此，每一条以 IB 为参变量的曲线都随VCE 增大而略有上翘。 （2）、若取VBE 为参变量，作特性曲线 IC VBE4 VBE3 VBE2 VBE1 VCE 0 A VA VA 称为厄尔利电压，其值的大小可用来表示输出特性曲线得上翘程度。∣VA∣越大，上翘程度就越小。 鞭袄鸽奥嫁万肖满详壳糜诚坦伶捻瘩俱拼锋磨粒淮泞碍规凡程蚁埔生竟盐第二章第四节三极管第二章第四节三极管 考虑厄尔利电压的影响，则 应该加以修正为 0 VCE IC IC IC2 IC1 鹏莫酶违毫咨呼轴杭拈慎熙学蛇粗税冯兽啮漱赚藻萌灌曲帅围眼促呵醛浙第二章第四节三极管第二章第四节三极管 2、截止区： 晶体三极管工作在截止模式，即 发射结反偏，集电结反偏。 从输出特性曲线上看，工程上，可规定 IB = 0 （相应地 IC = ICEO ）以下的区域称为截止区。 特点： （1）、VCE 很大，其值接近偏置电压。 （2）、 严格的说，截止区应该是 IE = 0 以