靶与掺铝ZnO靶共溅射制备ZnOAl薄膜及其性能.PDFVIP

第 22 卷第 4 期 中国有色金属学报  2012 年 4 月  Vol.22 No.4  The Chinese Journal of Nonferrous Metals  Apr. 2012  文章编号：1004­0609(2012)04­1119­07  Zn 靶与掺铝 ZnO 靶共溅射制备 ZnO:Al 薄膜及其性能 赵联波，刘芳洋，邹 忠，张治安，欧阳紫靛，赖延清，李 劼，刘业翔  (中南大学 冶金科学与工程学院，长沙  410083)  摘 要：采用 Zn靶和 ZnO(掺 2% Al O (质量分数))陶瓷靶在玻璃衬底上共溅射沉积 Al 掺杂 ZnO 薄膜， 即ZnO:Al  2 3 透明导电薄膜，研究Zn靶溅射功率(0~90W)和衬底温度(室温、100 ℃和200 ℃)对薄膜结构、形貌、光学和电学 性能的影响。结果表明：按双靶共溅射工艺制备的 ZnO:Al 薄膜的晶体结构均为六角纤锌矿结构，且随着 Zn靶溅 射功率的增加，薄膜的结晶质量呈现出先改善后变差的规律，薄膜中的载流子浓度逐渐升高，电阻率逐渐降低， 而薄膜的光学性能受其影响不大；随着衬底温度的升高，薄膜的结晶性能得到改善，薄膜的可见光透过率增强， 电阻率降低。 关键词：ZnO:Al 薄膜；磁控溅射；Zn靶功率；衬底温度；光电性能 中图分类号：O 782  文献标志码：A  Properties of ZnO:Al thin films depositedby co­sputtering with  Zn target and Al­doped ZnO target  ZHAO Lian­bo, LIU Fang­yang, ZOU Zhong, ZHANG Zhi­an, OUYANG Zi­dian, LAI Yan­qing, LI Jie, LIU Ye­xiang  (School of Metallurgical Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083,China)  Abstract:  The  Al­doped  ZnO  (AZO)  transparent  conductive  thin  films  were  deposited  on  glass  substrates  by  co­sputtering with Zn target and ZnO ceramic target. The effects of sputtering power(0−90 W) of Zn target and substrate  temperature on structure, surface, optical and electrical properties were investigated. The results indicate that all ZnO:Al  thin films obtained by co­sputtering show hexagonal structure. And with the increase of Zn target sputtering power, the  film crystallization quality is improved earlier and then deteriorated gradually, the carrier concentration also increases,  and the resistivity of films lower accordingly. But the effect is not obvi